【儀表網 儀表上游】上個世紀，我國一直與芯片制造擦肩而過。新中國成立之初，由于多年的內戰，以及抗美援朝戰爭，我國未能抓住芯片產業剛剛興起的契機。改革開放之后，我國把重心放在發展經濟上，仍未對芯片產業給予高度重視。以至于到現在，我國仍高度依賴進口芯片，尤其是芯片，我國每年要進口超過2千億美元的芯片，2019年更是高達3千億美元，超過作為戰略物資的原油，成為進口重點商品價值排名較好。
在信息化的當代，芯片能夠廣泛用于通信設備、PC/電腦、消費電子、汽車電子、醫療儀器、機器人、工業控制等各種電子產品和系統，是制造業的核心基石。根據IMF測算，每1美元半導體芯片的產值可帶動相關電子信息產業10美元產值，并帶來100美元的GDP，這種價值鏈的放大效應奠定了半導體行業在國民經濟中的重要地位。
因此，對于芯片國產化，勢在必行。
在半導體領域，芯片流片也就等同于“試生產”，即設計完電路以后先小規模生產幾片幾十片以供測試用使用，如果測試通過后就能開始大規模量產。中芯FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試完成也就意味著該制程工藝已經具備有意義的“良品率”，并且可以嘗試進行批量生產。
中芯是世界較好的集成電路芯片代工企業之一，也是中國內地規模較大、技術較先進的集成電路芯片制造企業。主要業務是根據客戶本身或第三者的集成電路設計為客戶制造集成電路芯片。
據了解，IP和定制芯片企業芯動科技已完成基于中芯FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次性通過。
在去年，中芯聯合CEO梁孟松曾經透露過，FinFET N+1工藝的功率和穩定性與7nm工藝非常相似，大的不同在于無需EUV光刻機也可以實現。梁孟松表示，N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。
在N+1之后還會有N+2，這兩種工藝在功耗上表現差不多，主要區別體現在性能及成本上。N+1工藝是面向低功耗應用領域，成本較低，而N+2面向高性能領域，成本也會增加。
提到7nm及以上工藝芯片，勢必離不開EUV光刻機，而FinFET N+1和N+2工藝都不會使用EUV工藝，據梁孟松介紹，在當前的環境下N+1、N+2代工藝都不會使用EUV工藝，等到設備就緒之后，N+2工藝可能會有幾層光罩使用EUV，之后的工藝才會大規模轉向EUV光刻工藝。
說起7nm就不得不提到目前世界上僅有的兩家可以量產7nm芯片的晶圓代工巨頭臺積電和三星。同樣是7nm工藝，臺積電在早期不使用EUV的情況下搞定了7nm芯片的量產，而且效果還很不錯。而三星由于使用EUV設備初期產能低，成本高，因此沒有預想中的順利，比臺積電稍落后一些。
芯片在電子學中是一種把電路小型化的方式，并通常制造在半導體晶圓表面上。前述將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜集成電路。另有一種厚膜混成集成電路是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。
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