【儀表儀表網 儀表上游】我國是第二大經濟體，經濟發展已經邁上高質量發展階段。提高關鍵核心技術創新能力，關乎經濟高質量發展和國家民族未來。中興事件的興起，中美貿易事件的發酵，反面折射出了半導體等核心零部件技術的薄弱，一時引起了社會尤其中國科技界的深思。
要想擺脫“卡脖子”的殘酷命運，我國核心技術的發展還需要更多自主創新。材料強國是科技強國的基礎，第三代半導體材料扮演著愈發關鍵的角色，也正日益成為、國內科技和產業競爭的核心領域之一。
基于高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優異性能，第三代半導體材料更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件。在移動通訊、能源互聯網、新能源汽車、軌道交通、以至國防軍備等產業，日逐成為美、歐、日各國競相布局的重要領域。
目前，我國第三代半導體已列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一，正處于研發及產業化發展的關鍵期。打破壟斷、提高國產化率生產，力爭實現半導體設備自主可控。為此，《“十三五”材料領域科技創新專項規劃》、《半導體照明節能產業發展意見》、《半導體照明節能產業規劃》、《半導體管特性圖示儀校準儀校準規范》、《半導體照明設備和系統的光輻射安全測試方法》等國家政策、方法標準密集發布，在促進半導體產業發展方面成效顯著。
近日，863計劃“第三代半導體器件制備及評價技術”項目通過驗收。項目開發出基于新型基板的第三代半導體器件封裝技術；開展第三代半導體封裝和系統可靠性研究，形成相關標準或技術規范；制備出高性能SiC基GaN器件。通過項目的實施，我國在第三代半導體關鍵的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通訊等領域取得突破，自主發展出相關材料與器件的關鍵技術，有助于支撐我國在節能減排、現代信息工程、現代國防建設上的重大需求。
第三代半導體創新發展時機成熟，有望實現全產業鏈，進入世界先進行列。除了政策支持，我國也成立了集成電路產業基金，“大基金”的投資項目覆蓋了集成電路的制造、設計、材料設備、封裝測試等環節，大力投資必會帶動國內半導體設備行業的快速發展。
另一方面，我國精密加工技術和配套能力進步迅速，已經具備開發并且逐步主導第三代半導體裝備的能力。全國多地積極響應，促進地方產業轉型升級。近日，蕪湖市印發了《蕪湖市加快微電子產業發展政策規定(試行)》的通知。該微電子產業發展政策針對第三代半導體企業購買IP、參與研發多項目晶圓等做出了詳細的扶持說明。深圳正實施新一輪創新發展戰略布局，機器人、無人駕駛、等新興產業日新月異，坪山區將依托5G試點，建設第三代半導體產業集聚區。
盡管發展形勢一片良好。但第三代半導體產業核心材料、器件原始創新能力薄弱；體制機制不夠完善；缺乏公共研發、服務及產業化的平臺。對半導體企業而言，應發揮區域優勢，差異化布局，避免重復投入和惡性競爭。圍繞第三代半導體光電材料、裝備、器件及創新應用，實現全產業鏈協同創新和產業集群式、高質量發展。
（原文標題：第三代半導體器件制備發展迅速 行業競爭日趨升級）
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