上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 100, 離子束可聚焦, 平行, 散射.
KRI 射頻離子源屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >350 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量（Typical flow）:5-30 sccm
采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.
上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 100, 離子束可聚焦, 平行, 散射.
KRI 射頻離子源屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >350 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量(Typical flow):5-30 sccm
采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.
離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝.
適用于離子濺鍍和離子蝕刻, 實現完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數:
型號 | RFICP 100 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >350 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 10 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 5-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 23.5 cm |
直徑 | 19.1 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
伯東 KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應用領域:
1. 預清洗
2. 表面改性
3. 輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
4. 濺鍍和蒸發鍍膜 PC
5. 離子濺射沉積和多層結構 IBSD
6. 離子蝕刻 IBE
