上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2,
上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體
伯東 KRI 霍爾離子源 eH 400 特性：
1.可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極
2.寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
3.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
4.高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | eH 400 / eH 400 LEHO |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 40-300 V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 4 cm |
- 陽極結(jié)構(gòu) | 模塊化 |
電源控制 | eHx-3005A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發(fā)散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽極 | 標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移動(dòng)或快接法蘭 |
- 高度 | 3.0' |
- 直徑 | 3.7' |
- 加工材料 | 金屬 |
- 工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 6-30” |
- 自動(dòng)控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
1.離子輔助鍍膜 IAD
2.預(yù)清潔 Load lock preclean
3.In-situ preclean
4.Low-energy etching
5.III-V Semiconductors
6.Polymer Substrates
