上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 考夫曼離子源 KDC 40. 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射. 適用于已知的所有離子源應用.
離子束流: >100 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: 燈絲, 流量 （Typical flow）: 2-10 sccm.
加熱燈絲產生電子, 增強設計輸出高質量, 穩定的電子流.
上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 考夫曼離子源 KDC 40. 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射. 適用于已知的所有離子源應用.
離子束流: >100 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: 燈絲, 流量 (Typical flow): 2-10 sccm.
加熱燈絲產生電子, 增強設計輸出高質量, 穩定的電子流.
離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝.
無需水冷, 降低安裝要求并排除腔體漏水的幾率, 雙陰極設計.
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 技術參數：
離子源型號 | 離子源 KDC 40 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >100 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-10 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 17.1 cm |
直徑 | 9 cm |
中和器 | 燈絲 |
伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域：
1. 濺鍍和蒸發鍍膜 PC
2. 輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
3. 表面改性, 激活 SM
4. 離子濺射沉積和多層結構 IBSD
5. 離子蝕刻 IBE
