KRI 離子源用于離子束濺射鍍制 Ge 納米薄膜的研究

來源：上海伯東企業(yè)有限公司 2020年10月19日 13:04

在硅襯底上生長 Ge 量子點(diǎn)唄認(rèn)為是可能實(shí)現(xiàn) Si 基發(fā)光的重要途徑, 對 Si 基光電子、微電子或單電子器件有重要影響.

某研究所采用伯東 KRI 離子源用于離子束濺射鍍制 Ge 納米薄膜的研究.

該研究采用的是 FJL560 III 型超高真空多靶磁控與離子束聯(lián)合濺射設(shè)備的離子束濺射室內(nèi)制備樣品, 生長室的本底真空度低于 4x10^-4Pa.

其系統(tǒng)工作示意圖如下：

該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、離子源、濺射靶、基片臺(tái)等部分組成.

用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型射頻離子源 380, 其參數(shù)如下:

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

射頻離子源型號	RFICP 380
Discharge 陽極	射頻 RFICP
離子束流	>1500 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	30 cm Φ
離子束	聚焦
流量	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	39 cm
直徑	59 cm
中和器	LFN 2000

推薦理由：

聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

生長室的本底真空度低于 4x10-4Pa, 經(jīng)推薦采用伯東泵組 Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：

分子泵組 Hicube 80 Pro 技術(shù)參數(shù):

進(jìn)氣法蘭

氮?dú)獬樗?br /> N2, l/s

極限真空 hpa

前級泵

型號

前級泵抽速
m³/h

前級真空
安全閥

DN 40 ISO-KF

< 1X10-7

Pascal 2021

AVC 025 MA

運(yùn)行結(jié)果：

得到了尺寸較均勻的 Ge 島, 島的數(shù)量也很多.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商.

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