ST-21型方塊電阻測(cè)試儀以大規(guī)模集成電路為主要核心；用基準(zhǔn)電源和運(yùn)算放大器組成高精度穩(wěn)流源；帶回路有效正常指示電路；并配以大型LCD顯示讀數(shù)，使儀器具有體積小...

RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)...

PN-30型導(dǎo)電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針?lè)ǎ┖蜏夭罘ǎㄒ卜Q冷熱探筆法來(lái)判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多...

PN-12型導(dǎo)電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針?lè)ǎ┖蜏夭罘ǎㄒ卜Q冷熱探筆法來(lái)判斷單晶（或多晶）硅的導(dǎo)電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多...

LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目...

CV-2000型電容電壓特性測(cè)試儀作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢(shì)壘電容）。加正向偏壓時(shí)，PN結(jié)勢(shì)壘區(qū)變窄，勢(shì)壘電容變大；加反向偏壓時(shí)，PN...

CV-5000型電容電壓特性測(cè)試儀在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測(cè)試是極為重要的工藝過(guò)程監(jiān)控測(cè)試手段，通過(guò)C-V測(cè)試達(dá)到優(yōu)化生...

100A/20A四探針金屬/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x是100A/20（及100A/2）的升級(jí)版，其為用戶提供了使用100A/20進(jìn)行四探針測(cè)試及實(shí)驗(yàn)的配套軟件，可運(yùn)行...

RTS-8型四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料...

RTS-11型金屬四探針測(cè)試儀于測(cè)試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻測(cè)量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；是運(yùn)用四探針...

以往檢測(cè)粉塵中游離二氧化硅含量, 均采用《作業(yè)場(chǎng)所空氣中粉塵測(cè)定方法》（GB5748—85） 規(guī)定的“焦磷酸重量法“, 該方法存在操作步驟復(fù)雜、使用試劑種類繁多...

Nolay3022職業(yè)衛(wèi)生粉塵分散度測(cè)定儀粉塵分散度測(cè)定顯微鏡是我公司專門針對(duì)工作場(chǎng)所粉塵檢測(cè)需要而開發(fā)的*符合國(guó)標(biāo)GBZ/T 192.3—2007的一套顯微圖...