【儀表網(wǎng)研發(fā)快訊】核電廠運(yùn)行、核事故應(yīng)急、乏燃料后處理與核設(shè)施退役、以及醫(yī)用同位素應(yīng)用等過(guò)程都會(huì)產(chǎn)生大量的對(duì)人類(lèi)健康和生態(tài)環(huán)境構(gòu)成潛在威脅的含99Tc放射性廢水，發(fā)展含99Tc放射性廢水高度減容和深度凈化處理技術(shù)至關(guān)重要。目前，99TcO4-的去除主要存在三大難點(diǎn)：①由于其半衰期長(zhǎng)(2.13×105年)、溶解高性(11.3mol/L,20℃)、流動(dòng)性強(qiáng)(巖石礦物中低吸附容量)，99TcO4-極易遷移至地下水與周邊環(huán)境。②99TcO4-會(huì)與鈾、钚或鋯形成溶劑化合物，在PUREX流程中鈾钚分離時(shí)，9

【儀表網(wǎng)研發(fā)快訊】近日，北京大學(xué)物理學(xué)院量子材料科學(xué)中心宋志達(dá)課題組與合作者對(duì)魔角石墨烯的超導(dǎo)機(jī)制提出了一種理論，該理論解釋了超導(dǎo)何以發(fā)生在摻雜的關(guān)聯(lián)(莫特)絕緣體中，并解釋了多個(gè)實(shí)驗(yàn)上觀測(cè)到的非常規(guī)超導(dǎo)特征，包括向列相、V型能隙、短相干長(zhǎng)度、超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc顯著低于配對(duì)能隙等。該理論認(rèn)為，盡管配對(duì)通道不同，魔角石墨烯中的配對(duì)機(jī)制十分類(lèi)似于三價(jià)富勒烯化合物(A3C60)中的配對(duì)機(jī)制，而后者被認(rèn)為是一種電聲子耦合引起的、庫(kù)倫排斥協(xié)同的非常規(guī)超導(dǎo)。在技術(shù)上，該理論利用場(chǎng)論中的Ward恒等式證明：盡管

【儀表網(wǎng)研發(fā)快訊】有機(jī)太陽(yáng)能電池(OSC)因具有質(zhì)量輕、本征柔性，可溶液法加工等優(yōu)點(diǎn)而受到國(guó)內(nèi)外的廣泛關(guān)注并在過(guò)去十年取得了顯著的進(jìn)步，但其能量轉(zhuǎn)化效率(PCE)仍落后于無(wú)機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，這主要是由于其較大的非輻射能量損失導(dǎo)致開(kāi)路電壓較低。其中，三線態(tài)激子的形成被認(rèn)為是產(chǎn)生非輻射能量損失的主要來(lái)源之一，限制了OSC的進(jìn)一步發(fā)展。針對(duì)上述挑戰(zhàn)，黃輝教授、蔡蕓皓副教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)降低電荷轉(zhuǎn)移態(tài)能量無(wú)序，有效降低了反向電荷轉(zhuǎn)移速率，抑制了三線態(tài)激子的產(chǎn)生，減少了非輻射能量損失，提升了OSC的性能。在

【儀表網(wǎng)研發(fā)快訊】核子(質(zhì)子和中子)是理解物質(zhì)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的重要對(duì)象。核子電極化率是描述核子內(nèi)部結(jié)構(gòu)的基本物理量，它揭示了核子在外部電磁場(chǎng)下的響應(yīng)能力，可以通過(guò)康普頓散射過(guò)程測(cè)量。然而，其理論預(yù)言卻面臨著強(qiáng)相互作用低能區(qū)非微擾效應(yīng)的巨大挑戰(zhàn)。格點(diǎn)量子色動(dòng)力學(xué)(格點(diǎn)QCD)從第一性原理出發(fā)，為研究核子極化率提供了強(qiáng)有力的工具。不過(guò)令人困惑的是，過(guò)去近20年的格點(diǎn)QCD計(jì)算獲得的核子電極化率均顯著低于實(shí)驗(yàn)測(cè)量值。北京大學(xué)物理學(xué)院馮旭、劉川教授領(lǐng)導(dǎo)的格點(diǎn)QCD團(tuán)隊(duì)與美國(guó)康涅狄格大學(xué)靳路昶教授合作，對(duì)這個(gè)疑

【儀表網(wǎng)研發(fā)快訊】日前，中國(guó)科大郭光燦院士團(tuán)隊(duì)固態(tài)量子計(jì)算研究組郭國(guó)平教授與微電子學(xué)院iGaN實(shí)驗(yàn)室孫海定教授合作，開(kāi)發(fā)并優(yōu)化了一套人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法并應(yīng)用于射頻功率器件及其電路的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，并在超寬溫域范圍獲得器件級(jí)和電路級(jí)的高精度建模。團(tuán)隊(duì)提出了基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ArtificialNeuralNetwork,ANN)算法的氮化鎵(GaN)基高電子遷移率晶體管(HEMT)器件在寬溫域(極低溫4.2K至室溫300K)的建模方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)GaN基HEMT直流和射頻特性的快速、高精度建模，并實(shí)現(xiàn)