【儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】近日，大連理工大學(xué)微電子學(xué)院副教授李曉干、與佐治亞理工大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院博士生鄒海洋等人一起，在寬帶光探測器研究上取得新進(jìn)展。
團(tuán)隊(duì)在硅和氧化鋅納米線兩種半導(dǎo)體材料構(gòu)成的光探測器上，設(shè)計了特殊的金針菇云狀的薄膜電極層，該結(jié)構(gòu)能通過減少光的反射，極大地提高硅對近紅外光的吸收。同時，通過施加外應(yīng)力作用在氧化鋅納米線上，在界面產(chǎn)生極化作用，提高光探測性能，其性能在近紫外442納米的波段光響應(yīng)提高78%，在近紅外區(qū)域1060納米光響應(yīng)也提高了20%左右，同時其測量極限和線性關(guān)系也得到了很大提高。
團(tuán)隊(duì)利用該器件研究和發(fā)現(xiàn)了極化作用對界面處光激發(fā)的電子和空穴的不同影響，對完善相關(guān)理論和發(fā)展更優(yōu)良的光電器件具有重要意義。該工作發(fā)表在專業(yè)學(xué)術(shù)期刊《先進(jìn)材料》，李曉干副教授與鄒海洋博士生等人以共同作者的身份聯(lián)合署名該論文工作。
寬帶光探測器，是一種能將較大大范圍不同波長的光信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘柕碾娮悠骷谕ㄐ畔到y(tǒng)、醫(yī)療、熱成像、環(huán)境監(jiān)測和國防科技都有廣泛的應(yīng)用。硅作為重要的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)占據(jù)著重要地位。但是，由于硅對900納米以上的近紅外光吸收不強(qiáng)，這極大限制了硅在寬帶光探測器的應(yīng)用。
(原文標(biāo)題：大連理工大學(xué)在寬帶光探測器研究上取得新進(jìn)展)
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