紅外干涉測量設備適用于可讓紅外線通過的材料
硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)
平整度
厚度變化 (TTV)
溝槽深度
過孔尺寸、深度、側壁角度
粗糙度
薄膜厚度
環氧樹脂厚度
襯底翹曲度
晶圓凸點高度(bump height)
MEMS 薄膜測量
TSV 深度、側壁角度...
測量方式: 紅外干涉(非接觸式)
樣本尺寸: 50、75、100、200、300 mm
測量厚度: 30 — 780 μm (單探頭)
3 mm (雙探頭總厚度測量)
掃瞄方式: 半自動及全自動型號,
另2D/3D掃瞄(Mapping)可選
襯底厚度測量: TTV、平均值、小值、大值、公差...
粗糙度: 20 — 1000? (RMS)
重復性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭*
0.8 μm (1 sigma)雙探頭*
分辨率: 10 nm
設備尺寸:
413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H)
413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H)
重量: 500 lbs
電源 : 110V/220VAC 真空: 100 mm Hg
*樣本表面光滑（一般粗糙度小于0.1μm RMS)
** 150μm厚硅片（沒圖案、雙面拋光并沒有摻雜）
