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    BW-3022A 半導體分立器件測試系統

    參考價
    16000-20000/套
    具體成交價以合同協議為準
    • 型號BW-3022A
    • 品牌
    • 所在地西安市
    • 更新時間2024-08-29
    • 廠商性質生產廠家
    • 所在地區西安市
    • 實名認證已認證
    • 產品數量19
    • 人氣值862
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    陜西博微電通科技有限責任公司位于古都西安灃東新城能源金貿區,我公司是一家致力于高精度半導體測試設備、電力電子檢測設備、半導體實驗室系統及電力儲能解決方案的集研發、生產、銷售的高科技企業。

    公司主營產品有:半導體分立器件測試系統、光藕測試儀器、IC測試儀、半導體熱特性測試系統及電池安全管理系統等,

    針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導體測試產品,廣泛應用于半導體企業測試計量、封裝測試、IDM測試、晶圓測試、DBC測試以及科研教學、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應用端產業鏈的來料檢驗、器件選型及工業院所、實驗室的數據驗證分析和研發指導等。

    半導體測試設備可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進行高精度靜態參數測試(包括導通、關斷、擊穿、漏電、增益等直流參數)測試精度可達16位ADC;動態雙脈沖(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測試等;環境老化測試(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環PCT3000 )及熱特性測試(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半導體器件測試設備/雪崩耐量測試UIS、二極管浪涌測試IFSM、熱阻測試、晶閘管直流參數測試SCR、安全工作區正偏/反偏/短路安全工作區測試SOA,各類型探針臺、高精度高低溫箱及分立器件分選機系統等

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          公司具備完整的電子產品生產線和質量控制體系,擁有一批高素質的技術研發人員和優秀的管理團隊,專注于半導體測試領域的技術創新和研發持續升級。公司注重產品
    質量,更注重售后服務和客戶滿意度,我們秉承“博厚共贏、服務入微”理念竭誠為每一位客戶提供性價比高、高品質的產品與服務,解決客戶半導體測試痛點,助力行業發展。








    點擊展示更多內容
    產地國產 加工定制 電壓1500V
    電流分辨率1uA
    BWDT-3022A 型晶體管直流參數測試儀可測試三極管、MOS 場效應管、J 型場效應管、整流二極管、三端肖特基整流器、三端電壓穩壓器和基準器 TL431,為三極管、MOS 場效應管、J 型場效應管、二極管等提供了 15 種最主要參數的測試,以及參數”合格/不合格”(OK/NO)測試,用戶通過機器上的按鍵很容易的把測試條件輸入進去,并將參數存入EEPROM 中,便于日后方便且快速的打開調用
    半導體分立器件測試系統 產品詳情

    BWDT-3022A

    晶體管直流參數測試儀

    一、產品基本信息

    1)產品名稱及用途

    產品名稱:BWDT-3022A 晶體管直流參數測試儀

    產品用途:滿足電子元器件靜態直流參數測試需求

    2)產品信息及規格環境

    產品信息

    產品型號:BWDT-3022A

    產品名稱:晶體管直流參數測試儀;

    物理規格

    主機尺寸:深 305*寬 280*高 120(mm)

    主機重量:<5Kg

    主機顏色:白色系

    電氣環境 主機功耗:<75W

    環境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作)

    相對濕度:≯85%; 大氣壓力:86Kpa~106Kpa

    防護條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等

    電網要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz

    工作時間:連續;

    二、產品介紹

            BWDT-3022A 型晶體管直流參數測試儀是專為測試電子元器件的直流參數而設計。 可測試三極管、MOS 場效應管、J 型場效應管、整流二極管、三端肖特基整流器、三端 電壓穩壓器和基準器 TL431,其良好的中文界面軟件,簡化了用戶對 BWDT-3022A 的操 作和編程。測試條件和測試參數一次快捷設定,并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 軟件,無需操作培訓,就可操作該儀器. BWDT-3022A 為三極管、MOS 場效應管、J 型場效應管、二極管等提供了 15 種最主 要參數的測試,以及參數”合格/不合格”(OK/NO)測試,用戶通過機器上的按鍵很容易的把 測試條件輸入進去,并將參數存入 EEPROM 中,便于日后方便且快速的打開調用。


    三、產品特點

    ※ 大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡潔,操作方面簡單

    ※ 大容量 EEPROM 存儲器,儲存量可多達 2000 種設置型號數.

    ※ 全部可編程的 DUT 恒流源和電壓源

    ※ 內置繼電器矩陣自動連接所需的測試電路,電壓/電流源和測試回路

    ※ 高壓測試電流分辨率 1uA,測試電壓可達 1500V

    ※ 重復”回路”式測試解決了元件發熱和間歇的問題

    ※ 軟件自校準功能

    ※ 產品基于大規模微處理器,當用戶選定了設置好的型號時,在手動測試時,按下測試 開關,使測試機開始執行功能檢測,自動測試過程將在 BWDT-3022A 的測試座上檢測 DUT 短路,開路或誤接現象,如果發現,就立即停止測試。功能檢測主要目的是保護被測器件DUT 不因型號選錯而測壞

    ※ DUT 的功能檢測通過 LCD 顯示出被測器件/DUT 的類型(三極管,MOS 場管等),引腳 排列(P_XXX)測試方式(手動/自動)并繼續進行循環測試,顯示測試結果是否合格,并有聲光 提示

    ※ 在測試整流二極管時,BWDT-3022A 能自動識別引腳功能,并自動轉換矩陣開關進 行參數測試.測試后顯示對應引腳功能號

    ※ 兩種工作模式

    1、自動模式:自動檢測有無 DUT 放于測試座中,有則自動處于重復測試狀態,無則處 于重復檢測狀態; 2、手動模式:(剛開始未測試時屏幕白屏屬正常現象);當測試開關按下后自動對測 試座中的 DUT 進行檢測測試,長按開關不松開則處于重復測試狀態,松開開關則自動停止測試

    四、測試種類及參數注釋

    1BJT/三極管

    (1)Vbe:Ib:表示測試三極管 VBE 壓降時的輸入電流.

    (2)Vce:Bv:表示測試三極管耐壓 BVceo 時輸入的測試電壓.

    (3)Vce:Ir:表示測試三極管耐壓 BVceo 時輸入的測試電流.

    (4)HEF:Ic:表示測試三極管直流放大倍數的集電極電流.

    (5)HEF:Vce:表示測試三極管直流放大倍數的集電極電壓

    (6)Vsat:Ib:表示測試三極管飽和導通壓降時輸入基極的電流.

    (7)Vsat:Ic:表示測試三極管飽和導通壓降時輸入集電極的電流.

    (8)Vb:表示三極管的輸入壓降 VBE.

    (9)VCEO:表示三極管的耐壓(BVceo).

    (10)HEF:表示三極管的直流放大倍數(HEF).

    (11)Vsat:表示三極管的飽和導通壓降(VCEsat).

    (12)TestModel:Auto :表示設置為自動識別測試.

    (13)TestModel:Manual :表示設置為手動測試.

    2MOSFET/場效應管

    (1)Vth:ID:表示測試場效應管柵極啟動電壓(Vgs(th))的輸入電流.

    (2)Vds:Bv:表示測試場效應管耐壓(BVdss)時的測試電壓.

    (3)Vds:Ir:表示測試場效應管耐壓(BVdss)時的測試電流.

    (4)Rs:Vg:表示測試場效應管內阻(Rson)時加在柵極的電壓.

    (5)Rs:ID:表示測試場效應管內阻(Rson)時的測試電流.

    (6)Vth:表示場效應管的啟動電壓(Vgs(th)).

    (7)Bvds:表示場效應管的耐壓(BVdss).

    (8)Rs:表示場效應管的導通內阻(Rdson)

    (9)Igss:OG:表示測試場管輸入端 G 極的電容漏電特性,該設置數據為延時時間數,利 用延時設定時間后 VGS 電壓的保持量來測漏電特性。

    (10)Test:T:表示測試多少次后就停止測試。可設定到 9999 次。

    3JFTE/結型場效應管

    (1)Ids:Vd 表示測試結型場效應管漏極飽和電流(Idss)加在 D 極和 S 極的電壓(Vds)

    (2)Vds:Bv 表示測試結型場效應管耐壓(BVdss)時的測試電壓.

    (3)Vr:Ir 表示測試結型場效應管耐壓(BVdss)時的測試電流.

    (4)Voff:Vd 表示測試結型場效應管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 極和 S 極的電壓(Vds).

    (5)Voff:Id 表示測試結型場效應管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 和 S 的電流.

    (6)Is:表示結型場效應管的漏源飽和電流(Idss),在 GS=0V 的條件下測得.

    (7)Bvds:結型場效應管在關斷時的擊穿電壓.

    (8)Vof:結型場效應管的阻斷電壓(VGS(off)).

    (9)gm:結型場效應管的跨導系數,即導通內阻的倒數.

    4、三端穩壓 IC

    (1)Vo:Vi 表示測試三端穩壓時的輸入測試電壓.

    (2)Vo:Vi 表示測試三端穩壓時加在輸出端的負載電流

    (3)Vo:表示三端穩壓的輸出電壓數.

    5、基準 IC

    (1)Vz:Iz 表示測試基準 IC 時的輸入測試電流.

    (2)Vz:表示基準 IC 的穩定電壓數

    6、整流二極,三端肖特基整流器

    (1)VF:IF 表示測試三端肖特正向壓降 VF 的測試電流.

    (2)Vr:Bv 表示測試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測試電壓.

    (3)Ir:Fu 表示測試時反向漏電流參數是否要測,設大于 0 為開啟該項參數。

    (4)Vr:Ir 表示測試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測試電流.

    (5)VF1:表示測試三端肖特正向壓降 1. (5)VF2:表示測試三端肖特正向壓降



                                              BW-3022A測試技術指標:


    1 整流二極管,三端肖特基:

    耐壓(VRR)測試指標

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-1600V

    2V

    +/-2%

    0-2.000mA

    導通正向壓降(VF)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-2.000V

    2mV

    +/-2%

    0-2.000A

    2 N型三極管

    輸入正向壓降(Vbe)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-2.000V

    2mV

    +/-2%

    0-2.000A

    耐壓(Bvceo)測試指標

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-1600V

    2V

    +/-5%

    0-2.000mA

    直流放大倍數(HEF)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-12000

    1

    +/-2%

    0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce)

    輸出飽和導通壓降(Vsat)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-2.000V

    2mV

    +/-2%

    0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

    3、P型三極管

    輸入正向壓降(Vbe)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-2.000V

    2mV

    +/-2%

    0-2.000A

    耐壓(Bvceo)測試指標

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-1600V

    2V

    +/-5%

    0-2mA

    直流放大倍數(HEF)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-3000

    1

    +/-2%

    100uA(Ib) 5V(Vce)固定




    輸出飽和導通壓降(Vsat)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-2V

    2mV

    +/-2%

    0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

    4、N,PMOS場效應管

    輸入啟動電壓(VGS(th))

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-20.00V

    20mV

    +/-2%

    0-2.000mA

    耐壓(Bvds)測試指標

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-1500V

    2V

    +/-5%

    0-2mA

    導通內阻(Rson)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-9999MR

    0.1MR

    +/-5%

    0-20.00V(VGS)

    0-2.000A(ID)

    10R-100R

    0.1R

    +/-5%

    0-20.00V(VGS)

    0-2.000A(ID)

    5、三端穩壓IC

    輸出電壓(Vo)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-20.00V

    20mV

    +/-2%

    0-20.00V(VI)

    0-1.000A(IO)

    6、基準IC 431

    輸出電壓(Vo)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-20.00V

    20mV

    +/-2%

    0-1A(Iz)

    7、結型場效應管

    漏極飽和電流(Idss)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-40mA

    40uA

    +/-2%

    0V(VGS)

    0-20V(VDS)

    40-400mA

    400uA

    +/-2%

    0V(VGS)

    0-20V(VDS)

    耐壓(Bvds)測試指標

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-1600V

    2V

    +/-5%

    0-2mA

    夾斷電壓(Vgs(off))

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-20.00V

    0.2V

    +/-5%

    0-20V(VDS)

    0-2mA(ID)

    共源正向跨導(gm)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-99mMHO

    1mMHO

    +/-5%

    0V(VGS)

    0-20V(VDS)


    8、雙向可控硅

    導通觸發電流(IGT)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-40.00mA

    10uA

    +/-2%

    0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

    導通觸發電壓(VGT)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-2.000V

    2mv

    +/-2%

    0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

    耐壓(VDRM/VRRM)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-1500V

    2V

    +/-5%

    0-2.000mA

    通態壓降(VTM)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-2.000V

    2mV

    +/-2%

    0-2.000A(IT)

    保持電流(IH)

    測試范圍

    分辨率

    精度

    測試條件

    0-400mA

    0.2mA

    +/-5%

    0-400Ma(IT)

     







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