PhysTech在1990年推出了臺數字DLTS，隨著電腦技術的發展，使得在短時間內進行復雜計算成為可能。在純指數發射過程模型的基礎上，用各種數學模型分析測量到的瞬態過程，如傅里葉轉換、拉普拉斯轉換、多指數瞬態擬合、ITS（等溫瞬態光譜）信號重疊法、溫度掃描信號重疊法（重折疊）。與其他系統相比，HERA-DLTS具有的能量分辨率。
半導體的摻雜濃度、缺陷能級位、界面態(俘獲界面)是研究半導體性質的重要手段。此設備根據半導體P-N 結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。
特點：
操作模式：
規格：
| 分辨率： | 1*108 atoms/cm3 |
| 脈沖發生器 | |
| 電壓范圍： | ±20.4V（±102opt.） |
| 電壓分辨率: | 0．625mV |
| 電流: | ＞±15mA |
| 脈沖寬度: | 1μs-1000s |
| 快速脈沖選配 | |
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| 電容表 | |
| HF信號: | 100Mv@1MHz(20mV optional) |
| 范圍[pF]: | 3,30,300,3000(自動或手動) |
| 電容補償: | 0.1-3000 pF（自動或手動） |
| 靈敏度: | 0.01 fF |
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| 電壓測量 | |
| 范圍: | ±10V |
| 靈敏度: | ＜1μV |
| 輸入電阻: | 106Ohm |
| 可提供偏壓補償: | |
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| 電流測試 | |
| 范圍: | 5，從±1μA 到±10mA |
| 靈敏度: | ＜1pA |
| 可提供漏電保護 | |
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| 瞬態記錄 | |
| 樣品速率: | 2μs到2000s |
| 樣品數量: | 16-16384（opt.64k） |
| 可調節抗失真濾膜 | |
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| 標準冷卻倉 | |
| 溫度范圍: | 15K-450K或77K~800K |
| 溫度掃描方式： | 使用28個不同的相關功能（軟件）通過一次溫度掃描，給出28個溫度掃描信號。 |
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| 典型性能（Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV） | |
| 靈敏度: | 10-7 |
| 能量精度: | HT+/-3% |
| 能量分辨率: | 10meV |
| 發射率: | 10-3/s |
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