超聲波探傷儀

摘要 1. 極小的外形設(shè)計(jì)；2. 換能器自聚焦；3. 楔塊可適用于不同管徑，從直徑20mm至直徑115mm；4. 可與自動(dòng)檢測(cè)裝置配合使用

摘要 多浦樂(lè)柔性相控陣探頭晶片可隨物體表面形狀任意彎曲、可變曲率。產(chǎn)品厚度僅3.0mm，可進(jìn)入狹窄空間檢測(cè)。

摘要 多浦樂(lè)柔性相控陣探頭晶片可隨物體表面形狀任意彎曲、可變曲率。產(chǎn)品厚度僅3.0mm，可進(jìn)入狹窄空間檢測(cè)。

摘要 1.時(shí)尚超酷流線外觀2.雙激光器示寬導(dǎo)向3.自動(dòng)蓄水耦合系統(tǒng)4.全透明高透聲輪胎5.雙多功能控制按鈕6.探頭快速拆裝更換

摘要 1.時(shí)尚超酷流線外觀2.雙激光器示寬導(dǎo)向3.自動(dòng)蓄水耦合系統(tǒng)4.全透明高透聲輪胎5.雙多功能控制按鈕6.探頭快速拆裝更換

摘要 電子控制聲束角、聚焦和掃描步徑；· 使用固定角度與固定聚焦探頭，無(wú)需多次檢測(cè)；· 從一個(gè)接觸點(diǎn)可以檢測(cè)常規(guī)方式難以達(dá)到的區(qū)域；· 可更換的楔塊以及0°延遲塊，平面或曲面兩種類型；· 也可用于水浸。

摘要 電子控制聲束角、聚焦和掃描步徑；· 使用固定角度與固定聚焦探頭，無(wú)需多次檢測(cè)；· 從一個(gè)接觸點(diǎn)可以檢測(cè)常規(guī)方式難以達(dá)到的區(qū)域；· 可更換的楔塊以及0°延遲塊，平面或曲面兩種類型；· 也可用于水浸。

摘要 電子控制聲束角、聚焦和掃描步徑；· 使用固定角度與固定聚焦探頭，無(wú)需多次檢測(cè)；· 從一個(gè)接觸點(diǎn)可以檢測(cè)常規(guī)方式難以達(dá)到的區(qū)域；· 可更換的楔塊以及0°延遲塊，平面或曲面兩種類型；· 也可用于水浸。

摘要 電子控制聲束角、聚焦和掃描步徑；· 使用固定角度與固定聚焦探頭，無(wú)需多次檢測(cè)；· 從一個(gè)接觸點(diǎn)可以檢測(cè)常規(guī)方式難以達(dá)到的區(qū)域；· 可更換的楔塊以及0°延遲塊，平面或曲面兩種類型；· 也可用于水浸。

摘要 電子控制聲束角、聚焦和掃描步徑；· 使用固定角度與固定聚焦探頭，無(wú)需多次檢測(cè)；· 從一個(gè)接觸點(diǎn)可以檢測(cè)常規(guī)方式難以達(dá)到的區(qū)域；· 可更換的楔塊以及0°延遲塊，平面或曲面兩種類型；· 也可用于水浸。

摘要● 高亮度、高分辨率真彩色液晶觸摸屏，USB、LAN、SVGA輸出接口，大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間?！?配置使用方便高效的手動(dòng)掃查架，配置TOFD探頭及多種角度楔塊。● 支持縱波、橫波等模式，具備A掃、B掃、D掃和TOFD成像功能，支持P掃功能?！?實(shí)時(shí)的A掃波形顯示使儀器調(diào)...

摘要 友聯(lián)M系列掃查架主要與PXUT－900、PXUT－910型便攜式TOFD檢測(cè)儀配合使用，可組合成多種構(gòu)型適應(yīng)現(xiàn)場(chǎng)各類工件的掃查檢測(cè)需求；也可掛裝各類編碼器，與業(yè)界已采用的各型TOFD檢測(cè)儀配套使用。

摘要 PXUT-10超聲波測(cè)厚儀，運(yùn)用超聲波測(cè)量原理，采用*的電子集成技術(shù)，造型小巧、功能齊全，可用于多種材料厚度的測(cè)量。該儀器可對(duì)板材和工件作精確測(cè)量，并可監(jiān)測(cè)管道和壓力容器在使用過(guò)程中受腐蝕后的減薄程度，廣泛應(yīng)用于石油、化工、冶金、造船、航空、航天等各個(gè)領(lǐng)域。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要 進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，主要用于縱波探傷。直探頭由插座、外殼、保護(hù)膜、壓電晶片、吸聲材料等組成。小晶片的探頭（直徑=12mm），探頭線接口為Q6插座，其他晶片探頭，探頭線接口為Q9插座。

摘要河南全數(shù)字超聲波探傷儀RCL-600博特，概述： 數(shù)字超聲波探傷儀（采用美國(guó)原裝主板及原器件）能夠快速便捷、無(wú)損傷、精確地進(jìn)行工件內(nèi)部多種缺陷如裂紋、焊縫、氣孔、砂眼、夾雜、折疊等的檢測(cè)、定位、評(píng)估及診斷，廣泛應(yīng)用于電力、石化、鍋爐壓力容器、鋼結(jié)構(gòu)、、航空航天、鐵路交...

摘要 進(jìn)行斜射探傷用的探頭，主要用于橫波探傷。斜探頭由斜塊、壓電晶片、吸聲材料、外殼、插座等組成。

摘要 進(jìn)行斜射探傷用的探頭，主要用于橫波探傷。斜探頭由斜塊、壓電晶片、吸聲材料、外殼、插座等組成。

摘要 相控陣探頭的每個(gè)壓電晶片都可以獨(dú)立接受信號(hào)控制，與相控陣設(shè)備連接在一起時(shí)，可以以不同角度產(chǎn)生超聲波束，可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)聚焦和實(shí)時(shí)掃描。

摘要 相控陣探頭的每個(gè)壓電晶片都可以獨(dú)立接受信號(hào)控制，與相控陣設(shè)備連接在一起時(shí)，可以以不同角度產(chǎn)生超聲波束，可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)聚焦和實(shí)時(shí)掃描。

摘要 相控陣探頭的每個(gè)壓電晶片都可以獨(dú)立接受信號(hào)控制，與相控陣設(shè)備連接在一起時(shí)，可以以不同角度產(chǎn)生超聲波束，可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)聚焦和實(shí)時(shí)掃描。

摘要 相控陣探頭的每個(gè)壓電晶片都可以獨(dú)立接受信號(hào)控制，與相控陣設(shè)備連接在一起時(shí)，可以以不同角度產(chǎn)生超聲波束，可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)聚焦和實(shí)時(shí)掃描

摘要 相控陣探頭的每個(gè)壓電晶片都可以獨(dú)立接受信號(hào)控制，與相控陣設(shè)備連接在一起時(shí)，可以以不同角度產(chǎn)生超聲波束，可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)聚焦和實(shí)時(shí)掃描

摘要 相控陣探頭的每個(gè)壓電晶片都可以獨(dú)立接受信號(hào)控制，與相控陣設(shè)備連接在一起時(shí)，可以以不同角度產(chǎn)生超聲波束，可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)聚焦和實(shí)時(shí)掃描。