中芯逼近聯電 大陸半導體制造再上一步

據統計的數據顯示，中國在半導體制造市場的份額比例進一步上升，其中作為中國大陸大半導體制造代工廠的中芯在前四大半導體制造廠中增速快，與中國臺灣的聯電進一步縮短了差距。

中國半導體制造再進一步，縮短與中國臺灣差距

目前前四大代工廠分別是臺積電、GF、聯電和中芯?；芈冯娮铚y試儀臺積電憑借著優先優勢正在進一步拉開差距，2016年其在半導體代工市場的份額進一步抬升到59%，老大地位無可動搖。

GF在經過幾年的停滯后，去年罕有的取得了10%的營收增長，因它從三星購買來14nm FinFET工藝，贏回了部分AMD的訂單，*維持在11%。

第三位的聯電，前年錄得負增長，去年總算勉強取得3%的增長，不過由于其他三家代工廠的營收增速更快導致它的*出現下滑，跌落到9%，位居第三位。

去年值得驚訝的是中國大陸的中芯了，回路電阻測試儀其營收錄得31%的增長，繼前年取得營收高速增長后去年的增速進一步提速，*提升至6%，與聯電的營收差距進一步縮窄，這與中國市場的芯片設計企業迅速成長有很大關系，此外也與芯片霸主高通的大力支持有重要關系。

受中國反壟斷調查的壓力，高通在2015年選擇與中芯合作，幫助后者提升工藝制程，同時將部分芯片訂單交給后者。在高通的幫助下，中芯的28nm工藝迅速在2015年量產，更在去年成功將工藝改進到28nm HKMG，與聯電處于同一水平。

聯電眼下14nm FinFET工藝進展緩慢，導致它未能在去年底成功量產，終只能在廈門的12寸晶圓廠引入40nm工藝，中國臺灣方面要求聯電和臺積電必須在中國臺灣投產優先在大陸建設的晶圓廠一代工藝。

中芯在*的28nm HKMG開始投入生產后，大陸的芯片設計企業就無需再前往中國臺灣，而這一市場自2014年中國推出的集成電路產業基金成立以來芯片設計企業開始日益興盛，憑借著這種地利優勢它的營收于是取得了迅速的增長。

今年和明年中芯的大挑戰就是其14nm FinFET工藝能否如期投產了。臺媒方面指聯電將在今年投產期14nm FinFET工藝，回路電阻測試儀這樣其廈門工廠應該能在今年引入28nm HKMG工藝與中芯競爭，明年臺積電的南京12寸晶圓廠投產預計會引入16nm FinFET工藝。

如果中芯不能在明年順利投產14nm FinFET工藝，這將給它帶來重大挑戰，不過早在2015年中它與高通、華為、IMEC等達成合作加快該工藝的研發，近期再獲得領導臺積電16nm FinFET工藝研發的蔣尚義加盟，更傳可能攬得FinFET工藝研發的優先者梁孟松，梁孟松是臺積電和三星FinFET工藝的重要功臣。

在中芯的營收迅速增長的同時，其也在加大研發投入，去年其資本開支提高到25億美元，這是它在該項支出上超過聯電，回路電阻測試儀后者去年的資本支出為22億美元，這也有助于中芯加速其14nm FinFET工藝的研發，因此筆者認為中芯的14nm FinFET工藝明年如期量產的可能性很大。