根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2021-2025年高純鉭行業(yè)深度市場(chǎng)調(diào)研及投資策略建議報(bào)告》顯示，高純鉭是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)所*的關(guān)鍵材料。我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，現(xiàn)階段是quan球最大的集成電路市場(chǎng)，且增長(zhǎng)速度高于全球平均水平，為高純鉭行業(yè)帶來(lái)廣闊市場(chǎng)空間。2020年，我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)1400億美元。集成電路是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，在信息化時(shí)代背景下，高純鉭需求規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)。

高純鉭 靶材 鉭靶

高純鈮 靶材 鈮靶

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01

He作為RQ cell碰撞氣體測(cè)試

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選擇5.0mL/min He作為RQ cell碰撞氣體進(jìn)行測(cè)試，發(fā)現(xiàn)Ag受到干擾(14N93Nb等)影響，在5.0mL/min He流量下gan擾能得到改善。

02

測(cè)試結(jié)果及回收率

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為考察方法的準(zhǔn)確性，對(duì)樣品進(jìn)行加標(biāo)回收率測(cè)試，在樣品中加入1μg/mL雜質(zhì)元素標(biāo)準(zhǔn)溶液，測(cè)試結(jié)果及回收率如表所示。

表. 樣品測(cè)試結(jié)果及回收率

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03

Ga和Rh內(nèi)標(biāo)穩(wěn)定性

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儀器接口對(duì)該類樣品的耐基體效應(yīng)，分別以高純鉭和高純鈮試劑為基準(zhǔn)，連續(xù)泵入加標(biāo)溶液，并每隔10min對(duì)加標(biāo)液進(jìn)行監(jiān)控，Ga和Rh內(nèi)標(biāo)穩(wěn)定性如下圖所示：

結(jié)論

結(jié)果表明回收率和穩(wěn)定性較好，賽默飛iCAP RQ儀器能滿足生產(chǎn)工藝中高純鉭、高純鈮的產(chǎn)品質(zhì)量控制需求。

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