Honeywell 621-6550 *現貨 返回列表頁

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2.Honeywell 621-6550 功率柜及功率單元

Honeywell 621-6550 本系統變頻裝置的變流回路由功率單元串聯構成，每個功率單元采用二極管整流、電容平波、IGBT連成H橋輸出的電壓源結構，其主回路如上圖所示。

對于大功率變頻器而言，功率單元是設備的核心，也是需要重點解決的技術。

在大功率變頻器的設計過程中，zui關注的有兩個參數，一是電壓，二是電流。

1）電壓

對于多電平串聯的變頻器而言，系統電壓等級相同時，不管電機功率大小，采用的串聯級數是相同的。對于此設備而言，采用9級模塊串聯，模塊輸入電壓為700V。

2）電流

由于Honeywell 621-6550 綜合了GTO和MOSFET的優點，既具有大電流、低飽和壓降,又具有高輸入阻抗、驅動簡單和開關頻率高等優點,特別適合于中高頻、中大功率應用。

招標方壓縮機電動機的額定電流高，針對如此大電流，IGBT的選型非常關鍵。

由于單只IGBT芯片的通流能力有限，大功率產品通常采用IGBT并聯來提高輸出電流能力。IGBT本身具有正溫度系數，具有自均流能力，適合并聯：

為了保證此設備的可靠性，我們放大了設計裕量，電路上采用多只IGBT并聯，從而達到招標方的技術要求。

IGBT并聯時，主電路的結構會造成線路感抗差異，這些感抗的不同將嚴重影響IGBT的動態工作特性，為此公司研發了對稱型主電路結構，達到了良好的均流特性。

   為實現并聯IGBT的動態均流和靜態均流，我公司并聯一起使用的 IGBT均選用同一批次，以降低不同IGBT及反并聯二極管靜/動態參數對均流影響。這些影響包括IGBT的飽和壓降Vce(sat)、反并聯二極管的正向壓降Vf對靜態均流效果的影響；IGBT的跨導gfs和柵極－發射級閾值電壓Vge_th、反并聯二極管的反向恢復特性對動態均流效果的影響。

   在驅動電路方面，并聯IGBT的門極驅動電壓Vge的大小主要影響并聯IGBT的靜態均流，而門極驅動信號的變化率、門極驅動電阻Rg、驅動線路的布局和感抗等參數則對并聯IGBT的動態均流有很大的影響。因此我公司針對IGBT并聯開發了的驅動電路，確保IGBT并聯的實現。

在特大功率變頻器中，發熱功率密度遠大于常規變頻器，采用常規的散熱結構無法滿足高密度散熱的需要。為此我們采用特殊的散熱結構及布局設計，提高散熱功率密度，優化熱場分布，以避免IGBT結溫過高導致器件損壞。

Honeywell 621-6550 開關時在母排寄生電感上產生的尖峰電壓是造成IGBT損壞的一個主要原因。該電壓正比于工作電流、寄生電感、反比于IGBT動作時間。由于IGBT動作時間在不同電流下變化很小，在設備電流增大時，尖峰電壓將隨之等比例增加。在電流較小時，通過簡單的設置吸收電容等方法就能夠有效地抑制尖峰電壓，但在電流很大時，傳統的技術手段將不足以把尖峰電壓抑制在器件允許的范圍之內，需要對各相關部分進行認真、細致、科學的優化。

針對以上問題經過多年的研究，目前公司的并聯型產品已大量應用于客戶現場，并取得了良好的應用記錄。

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