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    研究人員發明新型太赫茲半導體激光器

    時間:2010-8-12閱讀:965
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    美國哈佛大學和英國利茲大學研究人員在8日的英國《自然·材料》雜志上報告說,他們利用“超材料”發明出一種新型太赫茲半導體激光器,其發射的太赫茲光波準直性能與傳統太赫茲光源相比顯著改善。

      這項成果為太赫茲技術的廣泛應用提供了可能。哈佛大學目前已就這一發明提出申請。

      在這項研究中,研究人員使用的“超材料”本身是常用的復合半導體材料砷化鎵,但材料結構是密集排布的溝槽,其深度隨距離呈周期性變化。這些溝槽分布在激光器發光區域附近,它們將激光器的發光轉換為沿器件表面傳播的表面等離子體,從而將光能擴散到極大的區域;這些表面等離子體的能量zui終被“超材料”散射到自由空間成為若干列太赫茲波,這些光波相干疊加,成為一束高準直的激光束。

      論文*作者、目前在哈佛大學工程和應用科學學院做博士后研究的虞南方在接受*記者采訪時說,這項研究中的“超材料”在兩方面有別于傳統材料:其一,它增大了表面等離子體的光子動量,與自由空間光子的動量相比,前者更接近光源內部光子的動量;動量的匹配使大部分激光光能被轉換為表面等離子體,而不是被直接散射到自由空間。其二,與可見光波段表面等離子體不同,太赫茲表面等離子體和傳統材料表面的相互作用很弱,難于操縱;而“超材料”使表面等離子體局限在離器件表面小于一個波長的范圍內,從而實現對表面等離子體的有效控制。

      太赫茲波是指頻率在0.1太赫茲至10太赫茲(波長為3000微米至30微米)范圍內的電磁波,可以有效透過紙張、衣物、塑料等非金屬物品,在易燃物檢測、藥品質量檢驗、癌癥和外傷診斷及星際微量化學物質探測等領域有廣泛應用前景。
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