詳細摘要: 可用于各類二極管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌電流(IFSM)試驗,包括三極管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的內置二極管的浪涌...
產品型號:BW-IFSM/ITSM所在地:西安市更新時間:2024-09-12 在線留言
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詳細摘要: 可用于各類二極管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌電流(IFSM)試驗,包括三極管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的內置二極管的浪涌...
產品型號:BW-IFSM/ITSM所在地:西安市更新時間:2024-09-12 在線留言詳細摘要: BW-AH-5520半導體高精度自動溫度實驗系統采用特殊的結構設計,保證待測元器件區域溫度高穩定度及均勻度。采用雙高精度 RTD 溫度傳感器進行精密控溫及過溫保...
產品型號:BW-AH-5520所在地:西安市更新時間:2024-03-12 在線留言詳細摘要: 適用于各種封裝的 IGBT/MOS 模塊高溫柵偏試驗試驗線路及試驗方法滿足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關標準要求8...
產品型號:BW-HTGB-C16所在地:西安市更新時間:2023-12-22 在線留言詳細摘要: 適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET(支持耗盡型產品)、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進行高溫高濕反偏試驗試驗線路及試...
產品型號:BW-H3TRB-C16所在地:西安市更新時間:2023-12-13 在線留言詳細摘要: 適用于各種封裝的IGBT、Si/SiC/GaN、MOSFET、BTJ進行K系數測試、穩態熱阻測試及功率循環試驗試驗線路及試驗方法滿足 MIL-STD-750 M...
產品型號:BW-IOL-X16M所在地:西安市更新時間:2023-12-13 在線留言詳細摘要: 適用于 SI/SIC/GaN 芯片的各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET、IGBT、IPM、橋堆等半導體器件進行 HAST 試驗。符合JESD22...
產品型號:BW-HAST-H4所在地:西安市更新時間:2023-12-13 在線留言您感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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