油浸式試驗(yàn)變壓器設(shè)備，本系列產(chǎn)品采用單框芯式鐵芯結(jié)構(gòu)，初級(jí)繞組和高壓繞組同軸繞制在鐵芯上，從而減少漏磁通，增大繞組間的耦合。

便攜式交直流試驗(yàn)變壓器，除了可于交流工頻耐壓試驗(yàn)，如果配以同等電壓等級(jí)和同等容量的電容、硅堆及高壓直流微安表，便可組裝成直流高壓試驗(yàn)裝置，可以測(cè)量高壓直流泄漏電...

充氣式試驗(yàn)變壓器試驗(yàn)裝置，它是發(fā)供電設(shè)備、各種電工產(chǎn)品及絕緣工具材料抗電強(qiáng)度試驗(yàn)的bi備設(shè)備。

智能干式試驗(yàn)變壓器，隨著我國電力工業(yè)的發(fā)展，對(duì)試驗(yàn)變壓器要求也越來越高，而油浸式試驗(yàn)變壓器，無論在體積上和重量上還是在性能上都越來越不能滿足現(xiàn)場(chǎng)工作的要求。

10KVA/100KV高壓試驗(yàn)變壓器，本系列產(chǎn)品采用單框芯式鐵芯結(jié)構(gòu)，初級(jí)繞組和高壓繞組同軸繞制在鐵芯上，從而減少漏磁通，增大繞組間的耦合。

串級(jí)式試驗(yàn)變壓器，除了可于交流工頻耐壓試驗(yàn)，如果配以同等電壓等級(jí)和同等容量的電容、硅堆及高壓直流微安表，便可組裝成直流高壓試驗(yàn)裝置，可以測(cè)量高壓直流泄漏電流。

便攜式工頻耐壓試驗(yàn)裝置，產(chǎn)品的整體結(jié)構(gòu)緊湊，通用性強(qiáng)，使用攜帶方便，適用于電力系統(tǒng)及電力用戶在現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)各種高壓電器設(shè)備的絕緣性能。

智能油浸式試驗(yàn)變壓器，本系列產(chǎn)品采用單框芯式鐵芯結(jié)構(gòu)，初級(jí)繞組和高壓繞組同軸繞制在鐵芯上，從而減少漏磁通，增大繞組間的耦合。

高壓干式試驗(yàn)變壓器，隨著我國電力工業(yè)的發(fā)展，對(duì)試驗(yàn)變壓器要求也越來越高，而油浸式試驗(yàn)變壓器，無論在體積上和重量上還是在性能上都越來越不能滿足現(xiàn)場(chǎng)工作的要求。

3KVA/50KV充氣式試驗(yàn)變壓器，它是發(fā)供電設(shè)備、各種電工產(chǎn)品及絕緣工具材料抗電強(qiáng)度試驗(yàn)的bi備設(shè)備。

串極式試驗(yàn)變壓器，本系列產(chǎn)品采用單框芯式鐵芯結(jié)構(gòu)，初級(jí)繞組和高壓繞組同軸繞制在鐵芯上，從而減少漏磁通，增大繞組間的耦合。

10KVA/50KV工頻耐壓試驗(yàn)裝置，產(chǎn)品的整體結(jié)構(gòu)緊湊，通用性強(qiáng)，使用攜帶方便，適用于電力系統(tǒng)及電力用戶在現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)各種高壓電器設(shè)備的絕緣性能。

5KVA/50KV交直流試驗(yàn)變壓器，除了可于交流工頻耐壓試驗(yàn)，如果配以同等電壓等級(jí)和同等容量的電容、硅堆及高壓直流微安表，便可組裝成直流高壓試驗(yàn)裝置，可以測(cè)量高...

充氣試驗(yàn)變壓器，它是發(fā)供電設(shè)備、各種電工產(chǎn)品及絕緣工具材料抗電強(qiáng)度試驗(yàn)的bi備設(shè)備。

3KVA/50KV干式試驗(yàn)變壓器裝置，隨著我國電力工業(yè)的發(fā)展，對(duì)試驗(yàn)變壓器要求也越來越高，而油浸式試驗(yàn)變壓器，無論在體積上和重量上還是在性能上都越來越不能滿足現(xiàn)...

高壓充氣式試驗(yàn)變壓器，它是發(fā)供電設(shè)備、各種電工產(chǎn)品及絕緣工具材料抗電強(qiáng)度試驗(yàn)的bi備設(shè)備。

油浸式高壓試驗(yàn)變壓器，本系列產(chǎn)品采用單框芯式鐵芯結(jié)構(gòu)，初級(jí)繞組和高壓繞組同軸繞制在鐵芯上，從而減少漏磁通，增大繞組間的耦合。

10KVA/50KV交直流試驗(yàn)變壓器，除了可于交流工頻耐壓試驗(yàn)，如果配以同等電壓等級(jí)和同等容量的電容、硅堆及高壓直流微安表，便可組裝成直流高壓試驗(yàn)裝置，可以測(cè)量...

GTB干式試驗(yàn)變壓器，隨著我國電力工業(yè)的發(fā)展，對(duì)試驗(yàn)變壓器要求也越來越高，而油浸式試驗(yàn)變壓器，無論在體積上和重量上還是在性能上都越來越不能滿足現(xiàn)場(chǎng)工作的要求。

5KVA/50KV高壓試驗(yàn)變壓器，本系列產(chǎn)品采用單框芯式鐵芯結(jié)構(gòu)，初級(jí)繞組和高壓繞組同軸繞制在鐵芯上，從而減少漏磁通，增大繞組間的耦合。