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當前位置：北京中科微納精密儀器有限公司>>技術(shù)文章>>高低溫試驗測試流程
1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C，保持4個小時;請勿在樣品通電的狀態(tài)下進行低溫測試，非常重要，因為通電狀態(tài)下，芯片本身就會產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過低溫測試，必須先將其“凍透"，再次通電進行測
2、開機，對樣品進行性能測試，對比性能與常溫相比是否正常。
3、進行老化測試，觀察是否有數(shù)據(jù)對比錯誤。
4、升溫到+90°C，保持4個小時，與低溫測試相反，升溫過程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個小時后，執(zhí)行2、3、4測試步驟。
5、高溫和低溫測試分別重復(fù)10次。
如果測試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測試失敗。
高溫環(huán)境對設(shè)備的主要影響有：
1. 填充物和密封條溶化或融化；
2. 潤滑劑粘度降低，揮發(fā)加速，潤滑作用減小；
3. 電子電路穩(wěn)定性下降，絕緣損壞；
4. 加速高分子材料和絕緣材料老化，包括氧化、開裂、化學反應(yīng)等；
5. 材料膨脹造成機械應(yīng)力加大或磨損加大。
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