X射線光電子能譜分析儀(XPS)解決方案

測(cè)試原理：

XPS的原理是用X射線去輻射樣品，使原子或分子的內(nèi)層電子或價(jià)電子受激發(fā)射出來(lái)。被光子激發(fā)出來(lái)的電子稱為光電子?？梢詼y(cè)量光電子的能量，以光電子的動(dòng)能/束縛能（binding energy，Eb=hv光能量-Ek動(dòng)能-w功函數(shù)）為橫坐標(biāo)，相對(duì)強(qiáng)度（脈沖/s）為縱坐標(biāo)可做出光電子能譜圖。從而獲得試樣有關(guān)信息。

1.  測(cè)試項(xiàng)目：全譜，精細(xì)譜，價(jià)帶譜，XPS深度刻蝕、微區(qū)XPS、

2.  樣品要求：（需提供樣品含有的元素，包括氧）

塊狀和薄膜樣品，需標(biāo)記好測(cè)試面（表面平整，樣品干燥），長(zhǎng)寬小于10mm，高度小于3mm(建議尺寸小于5×5×2mm，大尺寸樣品需確認(rèn))；（塊體/薄膜樣品表面請(qǐng)用乙醇擦拭干凈或抽真空來(lái)樣，接觸空氣容易受C，N，O，Si等元素污染） 

粉末樣品，不少于10mg(樣品需干燥)；

磁性樣品可測(cè)試，需在測(cè)試前溝通。

XPS深度刻蝕需提供：提供詳細(xì)測(cè)試過(guò)程，刻蝕要求。如刻蝕能量、刻蝕次數(shù)、單次刻蝕時(shí)間等要求，如2kV能量，速率0.1nm/s，單次刻蝕300s后，總計(jì)刻蝕4次，采集刻蝕前、后的譜圖；

微區(qū)XPS需提供：測(cè)試區(qū)域200~300um或100~200um或50~100um或10~50um

3.  應(yīng)用范圍：用于各種有機(jī)和無(wú)機(jī)固體材料的表面元素和其價(jià)態(tài)的定性，定量分析，可用于腐蝕，摩擦，浸潤(rùn)，粘接，催化，包覆，氧化等表面和界面過(guò)程的研究。

定性：元素種類及價(jià)態(tài)信息（可以分析除H和He以外的所有元素）

定量：半定量，屬于表面靈敏型測(cè)試

成像：元素XPS二維成像