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科研型原子層沉積系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號FPPIC-R-200-standard

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更新時間：2023-03-30 11:35:48瀏覽次數(shù)：198次

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產(chǎn)品簡介

科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD系芬蘭picosun公司R-200standard原子層沉積技術,具有的熱壁設計和單獨的入口，可實現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料

詳細介紹

科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD系芬蘭picosun公司R-200 standard原子層沉積技術,具有的熱壁設計和單獨的入口，可實現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料。
科研型原子層沉積系統(tǒng)具有專有的Picoflow™技術，即使在挑戰(zhàn)性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實現(xiàn)出色的均勻性。 R-200 standard原子層沉積配備了功能強大且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學物質前體源。與手套箱，粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成，無論您現(xiàn)在的研究領域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領域，都可以進行高效，靈活的研究，并獲得良好的結果。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD適用于數(shù)十種應用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場領dao者。它已成為創(chuàng)新驅動的公司和研究機構的shou選工具。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD技術指標

襯底尺寸和類型	50 – 200 mm /單片
	zui大可沉積直徑150 mm基片，豎直放置，10-25片/批次（根據(jù)工藝）
	156 mm x 156 mm 太陽能硅片
	3D 復雜表面襯底（使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳）
	粉末與顆粒（配備擴散增強器）
	多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
工藝溫度	50 – 500 °C, 可選更高溫度（真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C）
基片傳送選件	氣動升降（手動裝載）
基片傳送選件	預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ）
前驅體	液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源
	4根du立源管線，zui多加載6個前驅體源
	對蒸汽壓低的前驅體(1mbar~10mbar)，用氮氣等載氣dao入前驅體瓶內(nèi)引出
重量	350kg
尺寸（ W x H x D)）	取決于選件
	zui小146 cm x 146 cm x 84 cm
	zui大189 cm x 206 cm x 111 cm
選件	PICOFLOW™擴散增強器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設計，手套箱集
選件	成（用于惰性氣體下裝載）。
驗收標準	標準設備驗收標準為 Al₂O₃ 工藝