【儀表網(wǎng) 儀表企業(yè)】近日，為電子應用領域客戶提供服務的半導體公司意法半導體(STM)宣布，已簽署協(xié)議收購法國氮化鎵(GaN)創(chuàng)新者Exagan的多數(shù)股權。Exagan在外延、產(chǎn)品開發(fā)和應用技術方面的專業(yè)知識將拓寬和加速意法半導體在汽車、工業(yè)和消費類應用中的功率GaN路線圖和業(yè)務。Exagan將繼續(xù)執(zhí)行其產(chǎn)品路線圖，并將在部署其產(chǎn)品時得到意法半導體的支持。
交易條款未披露，收購結束仍需獲得法國當局的常規(guī)監(jiān)管批準。簽署的協(xié)議還規(guī)定，意法半導體在收購多數(shù)股權結束24個月后收購Exagan剩余的少數(shù)股權。這筆交易的資金來自可用現(xiàn)金。
意法半導體總裁兼執(zhí)行官讓-馬克•奇瑞(Jean-Marc Chery)表示：“ST在碳化硅領域已經(jīng)形成了強勁的發(fā)展勢頭，目前正在另一種非常有前景的復合材料氮化鎵方面進行擴張，以推動基于GaN的電力產(chǎn)品被汽車、工業(yè)和消費市場的客戶采用。收購Exagan的多數(shù)股權，是在加強我們在電力半導體領域的技術以及我們的長期GaN路線圖、生態(tài)系統(tǒng)和業(yè)務方面邁出的又一步。它是CEA-Leti在法國圖爾的持續(xù)發(fā)展以及近宣布的與臺積電的合作的補充。”
氮化鎵(GaN)屬于含碳化硅的寬帶隙(WBG)材料家族。GaN基器件是提供高頻操作的電力電子技術的一個重大進步，與硅基晶體管相比，GaN基器件具有更高的效率和更高的功率密度，從而節(jié)省了功率和整個系統(tǒng)的體積。GaN產(chǎn)品將涉及多種應用，如服務器、電信和工業(yè)應用中的功率因數(shù)校正和DC/DC轉換器、汽車應用中的EV車載充電器和DC-DC轉換器、以及電源適配器等個人電子應用。
Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾(Grenoble)，致力于加速電力電子行業(yè)從硅基技術向硅基技術的轉變，實現(xiàn)更小、更高效的電子轉換器。它的GaN功率開關設計用于制造標準的200mm晶圓廠。
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