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    摘要力爭到2030年取得10項以上光芯片領域關鍵核心技術突破,打造10個以上“拳頭”產品,培育10家以上具有國際競爭力的一流領軍企業,建設10個左右國家和省級創新平臺,培育形成新的千億級產業集群。

      【儀表網 行業政策】近日,廣東省人民政府辦公廳印發《廣東省加快推動光芯片產業創新發展行動方案(2024—2030年)》(下稱《方案》),圍繞重點任務、重點工程、保障措施三方面,制定了廣東省光芯片產業未來6年發展的行動方案。
     
      《方案》涵蓋突破產業關鍵技術;加快中試轉化進程;建設創新平臺體系;推動產業集聚發展;大力培育領軍企業;加強合作協同創新;關鍵材料裝備攻關工程;產業強鏈補鏈建設工程;核心產品示范應用工程;前沿技術產業培育工程等多方面具體工作。
     
      《方案》明確,力爭到2030年取得10項以上光芯片領域關鍵核心技術突破,打造10個以上“拳頭”產品,培育10家以上具有國際競爭力的一流領軍企業,建設10個左右國家和省級創新平臺,培育形成新的千億級產業集群,建設成為具有全球影響力的光芯片產業創新高地。
     
      在重點任務方面,要加快突破產業關鍵技術。強化光芯片基礎研究和原始創新能力。鼓勵有條件的企業、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網絡、柔性光子芯片、片上光學神經網絡等未來前沿科學問題開展基礎研究。支持科技領軍企業、高校、科研院所積極承擔國家級光芯片相關重大攻關任務,形成一批硬核成果。
     
      省重點領域研發計劃支持光芯片技術攻關。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導體材料、硅光集成技術、柔性集成技術、磊晶生長和外延工藝、核心半導體設備等方向的研發投入力度,著力解決產業鏈供應鏈的“卡點”“堵點”問題。
     
      加大“強芯”工程對光芯片的支持力度。擴大省級科技創新戰略專項、制造業當家重點任務保障專項等支持范圍,將面向集成電路產業底層算法和架構技術的研發補貼、量產前首輪流片獎補等產業政策,擴展至光芯片設計自動化軟件(PDA工具)、硅光MPW流片等領域,強化光芯片領域產品研發和產業化應用。
     
      加快中試轉化進程。加快建設一批概念驗證中心、研發先導線和中試線。支持企業、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰、化合物半導體、硅基(異質異構)集成、光電混合集成等領域,建設概念驗證中心、研發先導線和中試線,加快科技成果轉化進程。
     
      支持中試平臺積極發揮效能。支持中試平臺圍繞光芯片相關領域,向中小企業提供原型制造、質量性能檢測、小批量試生產、工藝放大熟化等系列服務,推動新技術、新產品加快熟化。鼓勵綜合性專業化中試平臺為光芯片領域首臺套裝備、首批次新材料等提供驗證服務,符合條件的依法依規給予一定政策和資金支持。
     
      鼓勵中試平臺孵化更多創新企業。鼓勵中試平臺搭建眾創空間、孵化器、加速器等各類孵化載體,并通過許可、出售等方式將成熟技術成果轉讓給企業,或將部分成果通過設立子公司的方式實現商業化,孵化培養更多光芯片領域新物種企業。
     
      在關鍵材料裝備攻關工程方面:加快開展光芯片關鍵材料研發攻關。大力支持硅光材料、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學傳感材料、電光拓撲相變材料、光刻膠、石英晶體等光芯片關鍵材料研發制造。
     
      推進光芯片關鍵裝備研發制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數網絡測試儀等光芯片關鍵裝備研發和國產化替代。落實工業設備更新改造政策,加快光芯片關鍵設備更新升級。
     
      支持光芯片相關部件和工藝的研發及優化。大力支持收發模塊、調制器、可重構光神經網絡推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發和產業化。支持硅光集成、異質集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關制造工藝研發和持續優化。
     
      在核心產品示范應用工程方面:加強光芯片產品示范應用。大力支持光芯片在新一代信息通信、數據中心、智算中心、生物醫藥、智能網聯汽車等產業的場景示范和產品應用。培育更多應用場景,加大光芯片產品在信息傳輸、探測、傳感等領域的應用,推動相關領域半導體產品升級換代。
     
      在前沿技術產業培育工程方面:圍繞光芯片前沿理論和技術問題開展基礎攻關和研發布局。支持企業、高校、研究機構等圍繞光神經網絡芯片、光量子芯片、超靈敏光傳感探測芯片、光電異質異構混合集成芯片、微腔光電子芯片、冪次增長算力光芯片等技術領域研發布局,努力實現原理性突破、原始性技術積累和開創性突破。

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