【儀表網 產業報道】可變電阻式存儲器又稱阻變存儲器，屬于下一代存儲器技術，是以非導性材料的電阻在外加電場作用下，在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的非易失性存儲器。與NAND產品相比，可變電阻式存儲器能耗更低，而且讀寫速度更是NAND存儲器的1萬倍，具有可以取代NAND產品的可能。
雖有諸多企業進行可變電阻式存儲器相關技術研究，甚至進行產線建設及小批量生產，但由于工藝一致性、材料等方面問題，尚未進入大規模生產及應用階段。在生產和研發領域，全球主要企業有美光、SK海力士等存儲器巨頭，還有富士通、松下等老牌電子器件廠商，也有如昕原半導體等新興廠商。
松下是全球最早推出可變電阻式存儲器的企業，隨后富士通也推出相應的產品，并較早實現了產業化應用，但由于主流存儲器的競爭，可變電阻式存儲器應用規模較小，限制了全球可變電阻式存儲器行業的發展。
中國可變電阻式存儲器行業發展起步較晚，中芯國際、昕原半導體、兆易創新等少數幾家企業從事產品的研發、生產、銷售業務。在代工領域，中芯國際、臺積電等企業均規劃有可變電阻式存儲器產線。其中，昕原半導體生產線于2022年2月建成，并基于其可變電阻式存儲器推出昕·山文系列安全存儲芯片。未來，隨著市場需求的增長及技術的發展，或將有更多企業涉足可變電阻式存儲器領域，并突破技術瓶頸，實現可變電阻式存儲器的產業化、規?；a及應用。
隨著人工智能、大數據等信息技術的發展及應用，以可變電阻式存儲器為代表的新一代存儲器需求增加，且展現出良好的市場前景。根據新思界產業研究中心發布的《2023-2027年可變電阻式存儲器行業深度市場調研及投資策略建議報告》預測，2027年全球可變電阻式存儲器市場規模將超過5億元。
新思界行業分析師表示，中國相關企業在可變電阻式存儲器領域雖然起步較晚，技術積累薄弱，但技術研發及投入方面積極性較高，產業化推進速度較快。相比于中國在主流的NAND、NOR等傳統類型存儲器方面的落后局面，可變電阻式存儲器與國際領先水平的差距較小。
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