K650X 濺射鍍膜儀

K650X濺射鍍膜儀(三靶大樣品室)  這種三頭靶面系統特別適用于半導體晶片工業。      本系統使用磁電管靶，在使用低電壓時提高了效率，并且能得到非常精細的顆粒，由于是冷濺射，所以無需冷卻靶面或樣品臺。      儀器裝有60mm直徑、0.1mm厚的金靶（或用戶選擇），提供的性能價格比。      功能集中在儀器面板上及即插即用電子學設計，zui大的“up-time”，這些用戶友好設計滿足了不同學科的用戶需求。      濺射參數可被預先設置，包括氣體放氣針閥，此閥為電磁閥，具有自動控制，可精確及重復膜厚沉積。      濺射頭互鎖，系統可容易選配K250鍍碳附件。      本儀器為全自動操作，可控制獨立的真空泵。  K650T Turbo Unit與上面相同，但具有渦輪分子泵，抽速60升/秒具有更高及清潔的真空。  特點  ·三個靶面濺射系統  ·全自動控制  ·低電壓濺射  ·高分辨率精細涂層(金顆粒可達2 nm)  ·具有傾斜裝置的特殊旋轉臺  ·均勻厚度沉積(掃描電鏡一般厚度為 20nm 或200埃)  ·225 mm(6英寸)腔室直徑  ·可接膜厚監視器，實時監視鍍層厚度  優點  ·適合大樣品，如晶圓  ·易操作  ·無需冷卻樣品臺  ·精確的再次涂層  ·適合各種樣品  ·膜厚度重復性好  ·容易裝載或卸載大樣品—zui大到6"晶圓  ·可預設沉積厚度  性能指標  1.儀器尺寸：450mm W x 350mm D x 175mm H  2.工作腔室：硼硅酸鹽玻璃 225mm Dia x 125mm H  3.基座： 110 mm直徑x 115mm高  4.安全鐘罩：聚碳酸酯  5.重量：24公斤  6.靶：3 x 60 mm 直徑 x 0.1mm 厚(金作為標準靶面)  7.旋轉臺：直徑為155 mm，可調節  8.樣品臺：距離靶面40到50 mm  9.真空范圍：ATM-1x10-2 mbar  10.沉積電流范圍：0-100mA  11.沉積速率：0-20nm/分  12.濺射時間： 0-4 分鐘  13.預設置針閥：控制氬  14.電源：230 伏 50Hz    (8amp max. including Pump)