ILSI晶振,貼片石英晶振,IXA12晶體,普通石英晶振,外觀使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
ILSI America成立于1987年,其使命是成為的ILSI晶振供應(yīng)商.頻率控制產(chǎn)品.通過(guò)有機(jī)增長(zhǎng)和戰(zhàn)略收購(gòu),美國(guó)ILSI 現(xiàn)在是廣泛設(shè)計(jì),制造和供應(yīng)的,涵蓋四個(gè)品牌的組件:ILSI,MMD,Ecliptek和Oscilent.美國(guó)ILSI滿足廣泛的要求,滿足OEM和CEM的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn).通過(guò)以下產(chǎn)品在許多垂直市場(chǎng)的客戶:壓電石英晶體,晶體振蕩器,MEMS振蕩器,TCXO,VCXO,OCXO,聲表面濾波器和諧振器.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英SMD晶振的年老化特性.
| ILSI晶振 | 單位 | IXA12晶振 | 石英晶振基本條件 |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 16.00MHz~54.00MHz | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -50℃~+150℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -40℃~+85℃ -40℃~+105℃ -40℃~+125℃ | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
| 激勵(lì)功率 | DL | 1.0μW Max. | 推薦:10μW |
| 頻率公差 | f_— l | ±10ppm ±15ppm ±20ppm ±25ppm ±30ppm ±50ppm | +25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,/ |
| 頻率溫度特征 | f_tem | 30 × 10-6，±50 × 10-6 | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 負(fù)載電容 | CL | 8pF~32pF | 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
| 串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±3× 10-6/year Max. | +25°C,年 |
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的耐高溫晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
陶瓷包裝產(chǎn)品
(1)在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
(2)陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接壓電陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.
(3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開(kāi)裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞.當(dāng)石英水晶振動(dòng)子產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂.當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞.所以在此處請(qǐng)不要施加壓力.另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上.
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英2016晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止變暖.避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求
美國(guó)ILSI晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).
ILSI晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
對(duì)我們的進(jìn)口晶振產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
