ILSI晶振,貼片晶振,IL3R晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
ILSI America成立于1987年,總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時(shí)的商業(yè)模式很簡(jiǎn)單,成為晶體和時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商,以支持北美頻率控制市場(chǎng)。在隨后的29年中,隨著頻率控制產(chǎn)品市場(chǎng)需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)和化,ILSI通過(guò)有機(jī)增長(zhǎng)和收購(gòu)應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)和客戶群。ILSI-MMD提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品包裝,包括工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和定制金屬罐通孔表面貼裝晶體,塑料封裝的手表晶體,陶瓷表面貼裝晶體和陶瓷表面貼裝時(shí)鐘振蕩器,晶體。XO,VCXO,TCXO,貼片晶振,OCXO振蕩器和諧振器.
石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,無(wú)源晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.IL3R晶振,陶瓷四腳32.768K晶振,小體積無(wú)源音叉晶體
ILSI晶振規(guī)格 | 單位 | IL3R晶振頻率范圍 | 石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 32.768KHZ | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -40 to +85°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | -40 to +85°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 | DL | 1 uW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 | f_— l | ±20 ppm | +25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 | f_tem | -0.034 ppm / ? C 2 Typica | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 | CL | 6.0 pF, 9.0 pF or 12.5 pF | 超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±5× 10-6 / year Max. | +25°C,年 |
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑. (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.IL3R晶振,陶瓷四腳32.768K晶振,小體積無(wú)源音叉晶體
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
(1)陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂).尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法.ILSI晶振,貼片晶振,IL3R晶振
ILSI晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,4腳焊接K級(jí)諧振器產(chǎn)品同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).IL3R晶振,陶瓷四腳32.768K晶振,小體積無(wú)源音叉晶體
2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色輕型32.768K時(shí)鐘晶振產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過(guò)SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.
針對(duì)公司制程所需使用危險(xiǎn)物及有害物,評(píng)估使用低毒性物質(zhì)(自2006年起已停用環(huán)保列管毒性化學(xué)物質(zhì));化學(xué)原物料依照危害特性分類存放,貯存設(shè)施符合法規(guī)要求;危害物質(zhì)標(biāo)示符合法規(guī)及GHS要求,作業(yè)場(chǎng)所備有物質(zhì)安全資料表(MSDS);作業(yè)環(huán)境加強(qiáng)抽風(fēng)換氣依法實(shí)施作業(yè)環(huán)境測(cè)定;操作人員定期實(shí)施危害物訓(xùn)練,無(wú)源SMD水晶振子作業(yè)時(shí)確實(shí)穿著防護(hù)具并配置緊急處置器材.ILSI晶振,貼片晶振,IL3R晶振