KJ-T1050-CVD-LZ型石墨稀、碳納米管材料CVD設備由管式爐+真空系統+供氣系統+水冷系統組成 ，溫度可以達到1050度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合。
管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和宇電控溫儀表，能進行30段程序控溫，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節能等優點。
軟件控制系統：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數據保存起來，隨時可以調出。
應用范圍：
該設備主要用于石墨稀、納米材料工藝涂層、多晶硅、碳化硅、擴散、氧化、退火等工藝。
參數詳情：
| 產品名稱 | 石墨稀、碳納米管材料CVD設備 |
| 產品型號 | KJ-T1050-CVD-LZ |
| 爐型結構 | 臥式、單管或多管系統自動控制 |
| 適應晶片尺寸 | 50--200mm |
| 取片方式 | 自動懸臂石英推拉舟，配合手動取、放片 |
| 溫度 | 1050℃ |
| 極限真空度 | 優于1Pa |
| 溫度穩定性 | 400℃~850℃≦+-0.5℃/24h |
| 抽速 | 抽限真空時間15min左右 |
| 供電電源 | 380V 50Hz 三相五線 |
| 選配 | 冷卻水：2~4KGF/c㎡,8L/min |
| 更多規格可根據需求定制 | |
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