南麟NP4N10MR-G規格N 100V 4A參數SOT23-3L
南麟NP4N10MR-G規格N 100V 4A參數SOT23-3L
南麟NP4N10MR-G規格N 100V 4A參數SOT23-3L
NP1N10MR
100 V N溝道增強模MOSFET
描述
示意圖
NP1N10MR采用*的溝槽技術。
提供優良的RpsfoN,低柵電荷和高性能。
超低阻密度電池的設計。這
適用于負載開關或脈寬調制。
申請。
一般特征
S型
VOS=100 V,l,=1A
RDS(ON(Typ.)=580 mQ)
Rdson(Typ.)=630 mq
標記和引腳分配
@VC=10V
@VES=4.5V
Sot-23-3L
(頂部視圖)
大功率電流處理能力
獲得無鉛產品
表面貼裝包裝
丁
三
應用
NP1N10
PWM應用
負載開關
包裝
HF RB
第二次
羅赫斯
Sot-23-3L
S型