星際金華*IPB180N04S4-00 N溝道金屬-氧化物半導體場效應晶體管，*行貨 量大價優(yōu)
深圳市星際金華供應IPB180N04S4-00 N溝道金屬-氧化物半導體場效應晶體管，只做原裝 貨源充足
功能摘要：
N通道-增強模式
符合AEC
MSL1高達260°C的峰值回流
175°C工作溫度
綠色產品（符合RoHS）
超低Rds（on）
經過100％雪崩測試
好處：
世界上低的40V RDS
大電流能力
低的開關和傳導功率損耗，以實現大的熱效率
堅固耐用的包裝，具有的質量和可靠性
優(yōu)化的總柵極電荷使驅動器輸出級更小
目標應用：
OptiMOS-T2 40V適用于各種EPS電機控制，三相和H橋電機，HVAC風扇控制，電動泵等，尤其是與PWM控制結合使用時。
因此，基于英飛凌*溝槽技術的OptiMOS-T2 40V產品將成為節(jié)能，減少二氧化碳排放，電子驅動器等下一代汽車應用的基準。
產品參數值
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 180 A
Rds On-漏源導通電阻: 800 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 286 nC
小工作溫度: - 55 C
大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 58 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 67 ns
典型接通延遲時間: 53 ns
單位重量: 1.600 g
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