上海棱光雙光束紫外在金剛石薄膜研究中的應(yīng)用

來源：上海棱光技術(shù)有限公司 2022年05月05日 08:40

金剛石具有*的硬度，熱膨脹系數(shù)和摩擦系數(shù)低，電絕緣性能好，熱導(dǎo)率和電介性高，它禁帶寬，有波長范圍很寬的透明性，聲傳播速度快,摻雜后具有半導(dǎo)體性質(zhì)等，因此是一種頗有應(yīng)用價(jià)值的材料。制備金剛石薄膜的方法很多，上海棱光技術(shù)有限公司紫外分光光度計(jì)，本文采用高純氫稀釋甲烷物質(zhì)源，在266nm紫外激光聚焦照射下，在50~ 600七的n-Si (111) 襯底表面.上獲得了多晶金剛石膜，并采用XRD、RHEED和SEM技術(shù)研究了這些膜層的結(jié)構(gòu)形態(tài)，結(jié)果表明:采用UL-CVD技術(shù)是獲得金剛石多晶薄膜的可行途徑。

圖1為采用UL--CVD技術(shù)生長金剛石薄膜的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖，為了有利于活化基團(tuán)的產(chǎn)生及激活襯底表面，提高生長速率，本文采用相互垂直的、波長λ= 266nm的兩束聚焦紫外光(見圖1)分別照射到物質(zhì)源及n-Si (111)襯底上，聚焦光斑尺寸為5x 5mm2.物質(zhì)源CH,用高純氫稀釋到0.5%，以100m1/ min的流速進(jìn)入反應(yīng)室中，嚴(yán)格控制噴嘴距襯底的距離為5mm，襯底溫度控制在50~600C。為了促進(jìn)金剛石的成核，襯底需事先經(jīng)劃痕加工.生長時(shí)間為1小時(shí)。

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