電纜故障測(cè)試儀沖閃測(cè)試時(shí)故障點(diǎn)二次擊穿放電波形分析

電纜故障測(cè)試儀沖閃測(cè)試時(shí)故障點(diǎn)二次擊穿放電波形分析

沖閃測(cè)試時(shí)故障點(diǎn)二次擊穿放電波形
對(duì)于個(gè)別阻值較高的高阻故障，不是一下子故障點(diǎn)擊穿閃絡(luò)放電，而是沖擊電壓越過(guò)故障點(diǎn)，先傳到終端，再?gòu)慕K端返回過(guò)程中、電壓疊加，然后故障點(diǎn)才閃絡(luò)放電，此后在測(cè)試端和故障點(diǎn)之間來(lái)回反射，顯示故障點(diǎn)二次擊穿放電波形。沖閃法電流取樣測(cè)試時(shí)，故障點(diǎn)二次擊穿放電波形如圖24所示。圖24 故障點(diǎn)二次擊穿測(cè)試波形
波形特點(diǎn)：二次擊穿波形特點(diǎn)為發(fā)射脈沖為正脈沖波形，一次反射為負(fù)脈沖波形，并且二次波形間距離為電纜全長(zhǎng)（同故障點(diǎn)不放電波形）。從第三個(gè)波形開(kāi)始，測(cè)試波形與沖閃測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)波形一致，其間距代表故障距離。
定光標(biāo)方法：二次擊穿波形同時(shí)具有故障點(diǎn)不放電波形及正常放電波形特點(diǎn)。定光標(biāo)時(shí)，先定前面二波形，看是否與電纜全長(zhǎng)一致，然后再觀察后面幾個(gè)反射波形，看是否具有前面講的沖閃波形特點(diǎn)（正脈沖前沿有負(fù)反沖，且各反射波形間距一致）。若具有二次擊穿波形特點(diǎn)，則按后面具有故障點(diǎn)閃絡(luò)擊穿特點(diǎn)的二波形分別定光標(biāo)起點(diǎn)、終點(diǎn)，就可確定故障點(diǎn)距離。
實(shí)際測(cè)試時(shí)須注意，由于故障性質(zhì)及測(cè)試條件不同，二次擊穿波形也變化較大，有時(shí)第二個(gè)波形（終端不放電反射波形）與第三個(gè)波形間距較大（延時(shí)擊穿時(shí)間較長(zhǎng)），有時(shí)間距小，甚至合二為一（延時(shí)較小）。定光標(biāo)時(shí)，不管前面幾個(gè)波形多么復(fù)雜，只要后面有正常放電波形，就按后面波形定光標(biāo)起點(diǎn)、終點(diǎn)，確定故障距離。
對(duì)于故障點(diǎn)二次擊穿波形，測(cè)試時(shí)可以加大球間隙，增加電容容量，提高沖擊電壓，一般就可以測(cè)出正常閃絡(luò)放電波形。
2.7 沖閃測(cè)試時(shí)近端故障測(cè)試波形
若故障點(diǎn)距測(cè)試端很近（15－20米以下），沖閃測(cè)試時(shí)，測(cè)試波形如圖25所示。

圖25 近端故障沖閃測(cè)試波形
波形特點(diǎn)：近端故障用閃絡(luò)法測(cè)試時(shí)，其波形特點(diǎn)為；測(cè)試波形為正負(fù)交替的余弦大振蕩波形，并且二波形間距離大于電纜全長(zhǎng)，為電纜全長(zhǎng)數(shù)倍。
遇到近端反射波形時(shí)，說(shuō)明故障點(diǎn)離測(cè)試端不遠(yuǎn)。要精確測(cè)試，有以下幾種方法：一是到另一端測(cè)試；二是用標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度電纜（如50米或100米）與被測(cè)電纜相連接測(cè)試，在測(cè)試距離后，測(cè)試距離減去所加電纜長(zhǎng)度，即為故障點(diǎn)至測(cè)試端距離；三是用好相與故障相在遠(yuǎn)端相接，將測(cè)試信號(hào)加在好相進(jìn)行測(cè)試。
總之，對(duì)各種電纜故障測(cè)試過(guò)程中，正確地分析波形，是快速完成出測(cè)定點(diǎn)的關(guān)鍵。不論故障波形多么復(fù)雜，歸納起來(lái)，不外乎上面講到的各種測(cè)試波形的變形。
3、高壓發(fā)生器及測(cè)試附件說(shuō)明

沖閃法接線(xiàn)如圖26所示，原理是將220V的市電通過(guò)操作箱調(diào)壓為0-220V，經(jīng)過(guò)直流升壓變壓器輸出高壓脈動(dòng)直流給脈沖電容充電，當(dāng)脈沖電容的電壓足夠高時(shí)擊穿球隙同時(shí)擊穿故障點(diǎn)，電容放電。然后電容繼續(xù)充電，如此循環(huán)……
圖26 沖閃法測(cè)試高壓發(fā)生器接線(xiàn)圖
圖26示意說(shuō)明：T1.3kVA/0.22kV調(diào)壓器
               T2.3kVA/50kV交直流高壓變壓器
               D.高壓整流硅堆，大于150kV/0.2A                                      
               C.高壓脈沖電容，容量1～8μF，耐壓大于10kV
V.電壓表
B.電流采樣盒
               J.高壓球隙（選配附件）