Emmi微漏電偵測系統組成

Emmi微漏電偵測系統簡介

Emmi微漏電偵測系統是失效分析領域在破壞性分析過程中*的一項分析手段，其原理為利用紅外線探測器，偵測IC或者元器件的漏電發光位置，為芯片漏電分析做出準確定位。

 2、Emmi微漏電偵測系統組成

    主機一套；InGaAs 攝像頭 1套;顯微鏡1套；探針臺1臺；

    控制電腦1臺;控制軟件1套

  3、技術指標

3.1、攝像頭部分：

   3.1.1 InGaAs CCD，可降溫到-70℃（外置式冰水機及半導體制冷同時工作）

   3.1.2偵測波長范圍滿足900nm to 1700nm

   3.1.3 接收紅外像素640*512

   3.1.4 UV~NIR波段均可偵測; 1000至1300nm波長量子效率≥70%

   3.1.5像素尺寸： 20umX20um

   3.1.6采集晶片尺寸： 9.6×7.68mm；

   3.1.7 曝光時間 20ms及以上

   3.1.8 CCD系統讀寫噪聲：少于30電子。

3.2、顯微鏡部分：

   3.2.1采用日本MITUTOYU FS-70高解析度NIR顯微鏡

   3.2.2 NIR物鏡2.5X（NA=0.1）、NIR5X（NA=0.14）、NIR20X（NA=0.4）、NIR50X（NA=0.5）

   3.2.3電動控制物鏡切換

   3.2.4具備NIR emmi光源（355nm-1550nm）及可見光源（355nm-700nm）并可軟件切換

3.3、探針臺部分

   3.3.1 八英寸探針臺1套，龍門式電動控制

   3.3.2 8" x 8" travel X-Y with big knob driven

   3.3.3 高精度探針座4組，移動精度0.7um

   3.3.4同軸探針桿4組，自帶BNC公頭

   3.3.5 真空開關獨立控制卡盤樣品吸附，一鍵氣浮式導航系統，手柄按鈕啟動后承載臺處于氣浮狀態，具備手柄按鈕定位系統，定位后關閉氣浮系統，反向真空吸附承載臺。

3.3.6配合back side及front side應用

3.3.6點針固定平臺

3.3.7探針點針固定裝置

3.4、控制電腦

   3.4.1  I5 CPU

   3.4.2  1T硬盤

   3.4.3  21寸LED顯示器以上

   3.4.4  電腦配置視當時主流配置定制

3.5、主機構

   3.5.1 電動X, Y stage, 移動范圍50mm, 移動精度: 1um（能數值顯示）

   3.5.2電動Z stage, 移動范圍60mm, 移動精度: 0.1um（能數值顯示）

   3.5.3 防震桌系統  防震效率 @ 10Hz  97%

   3.5.4 屏蔽箱采用防震桌一體式屏蔽箱，右向左滑動式開門（非對開門）保證開門過程中盡量少震動

   3.5.5 NIR照明燈

3.5.6具備系統遠程控制臺及軟件控制單元

3.5.7軟件控制及遠程控制臺可同時控制主機構移動及更換鏡頭，至少三種移動速度選擇。（相應速度可自己設定，需包含移動保護單元）；

3.5.8 IR光可透過藍膜，對襯底直接觀測