微光顯微鏡emmi測(cè)試說明

失效分析設(shè)備，失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè)，儀準(zhǔn)科技自主研發(fā)生產(chǎn)的微光顯微鏡，

就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言，微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率*的分析工具。主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會(huì)放出光子(Photon)。

失效分析設(shè)備，失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè)，儀準(zhǔn)科技自主研發(fā)生產(chǎn)的微光顯微鏡，舉例說明：在P-N 結(jié)加偏壓，此時(shí)N阱的電子很容易擴(kuò)散到P阱，而P的空穴也容易擴(kuò)散至N然後與P端的空穴（或N端的電子）做 EHP Recombination。

故障分析微光顯微鏡，失效分析設(shè)備，失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè)

偵測(cè)得到亮點(diǎn)之情況：

會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷 - 漏電結(jié)（Junction Leakage）; 接觸毛刺（Contact spiking）; （熱電子效應(yīng)）Hot electrons;閂鎖效應(yīng)（ Latch-Up）;氧化層漏電（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶須（Poly-silicon filaments）; 襯底損傷（Substrate damage）; （物理?yè)p傷）Mechanical damage等。

ADVANCEDYI儀準(zhǔn)科技自主研發(fā)的用于實(shí)驗(yàn)室高精度電流異常失效分析，位置確認(rèn)。

原有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。

偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況：

不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)的故障 - 歐姆接觸；金屬互聯(lián)短路；表面反型層；硅導(dǎo)電通路等。

亮點(diǎn)被遮蔽之情況 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，這種情況可以采用backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。

OBIRCH（光束誘導(dǎo)電阻變化）

光誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）模式能快速準(zhǔn)確的進(jìn)行IC中元件的短路、布線和通孔互聯(lián)中的空洞、金屬中的硅沉積等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定電壓下的器件表面進(jìn)行掃描，激光束部分能量轉(zhuǎn)化為熱能，如果金屬互聯(lián)線存在缺陷，缺陷處溫度將無(wú)法迅速通過金屬線傳導(dǎo)散開，這將導(dǎo)致缺陷處溫度累計(jì)升高，并進(jìn)一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區(qū)域與激光束掃描位置的對(duì)應(yīng)，定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力，其測(cè)試精度可達(dá)n*。

PEM（Photo Emission Microscope)

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與光發(fā)射（EMMI）常見集成在一個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)，合稱PEM（Photo Emission Microscope)，兩者互為補(bǔ)充，能夠很好的應(yīng)對(duì)絕大多數(shù)失效模式。

EMMI (Enhanced Man Machine Interface) 加強(qiáng)版人機(jī)交互界面，可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體元器件測(cè)量。