氣相沉積設備是利用氣相中發(fā)生的物理、化學過程，在工件表面形成功能性或裝飾性的金屬、非金屬或化合物涂層。氣相沉積技術按照成膜機理，可分為化學氣相沉積、物理氣相沉積和等離子體氣相沉積。 1、化學氣相沉積
化學氣相沉積是一種制備材料的氣相生長方法，它是把一種或幾種含有構成薄膜元素的化合物、單質氣體通入放置有基材的反應室，借助空間氣相化學反應在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術。
化學氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程控制。目前，化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。
2、物理氣相沉積
物理氣相沉積在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。 物理氣相沉積的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。發(fā)展到目前，物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。
3、等離子體氣相沉積
等離子體氣相沉積在化學氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產生低溫等離子體，增強反應物質的化學活性，從而進行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應室內將基體材料置于陰極上，通入反應氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應氣體得到活化，同時基體表面產生陰極濺射，從而提高了表面活性。
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