<tfoot id="qqie6"></tfoot>

<ul id="qqie6"></ul>

當前位置：北京恒奧德儀器儀表有限公司>>*儀器儀表>>其他>>四探針測試儀GSZ-RTS-4GSZ-RTS-4

四探針測試儀GSZ-RTS-4GSZ-RTS-4

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號GSZ-RTS-4

品牌

廠商性質生產(chǎn)商

產(chǎn)品資料下載

所在地北京市

在線詢價收藏產(chǎn)品

聯(lián)系方式：王蕊查看聯(lián)系方式

更新時間：2025-07-05 17:46:57瀏覽次數(shù)：145次

聯(lián)系我時，請告知來自儀表網(wǎng)

產(chǎn)品分類 品牌分類

  *儀器儀表

其他

煤質顆粒活性炭強度測定儀

活性炭強度測定儀

多功能型超聲波熱量表

智能發(fā)氣性測定儀

記錄式發(fā)氣性測定儀

發(fā)氣性測定儀

便攜式紅外測油儀

全自動紅外測油儀

全部產(chǎn)品列表

暫無信息

北京恒奧德儀器儀表有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：14875條

所在地區(qū)：北京北京市

聯(lián)系人：王蕊（經(jīng)理）

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

四探針測試儀GSZ-RTS-4GSZ-RTS-4
GSZ-RTS-4型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。
儀器由主

詳細介紹

四探針測試儀GSZ-RTS-4GSZ-RTS-4
四探針測試儀GSZ-RTS-4GSZ-RTS-4

GSZ-RTS-4型數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
    儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結果。
    儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結構緊湊、易操作等特點。
    本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。
GSZ-RTS-4型四探針軟件測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序，通過此測試程序輔助使用戶簡便地進行各項測試及獲得測試數(shù)據(jù)并對測試數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析。
    測試程序控制四探針測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析
技術參數(shù)：

測量范圍	電阻率：0.001～200Ω.cm(可擴展)；方塊電阻：0.01～2000Ω/□(可擴展)；電導率：0.005～1000 s/cm；電阻：0.001～200Ω.cm；
可測晶片直徑	140mmX150mm(配S-2A型測試臺)； 200mmX200mm(配S-2B型測試臺)； 400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；
恒流源	電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；精度：±0.1% ；顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標	間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000MΩ；機械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應用參數(shù)	(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差 ( 按JJG508-87進行)	0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機測量大相對誤差	(用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標準不確定度	≤5%
計算機通訊接口	并口
標準使用環(huán)境	溫度：23±2℃；相對濕度：≤65%；無高頻干擾；無強光直射；