S510半導體可靠性測試系統 返回列表頁

• 為65nm柵電介質結構NBTI和TDDB測試進行優化
• 加速可靠性建模的數據采集
• 通過自動化并行晶圓上測試提高產出
• 為高度靈活的系統提供20或更多并行stress/measure通道
• 為每個測試結構提供獨立的stress/measure通道

以及時的方式滿足建模所需的大量可靠性數據比以往任何時候都重要，因為新材料和不斷縮小的器件尺寸要求材料和器件工程師對柵電介質的行為有更好的理解。使用新的高K材料建造的器件被迅速推向生產，因此可靠性/壽命評估、工藝過程開發和工藝集成的時間被縮短。在過去, stress-switch-measure測試曾經是負偏壓溫度不穩定性(NBTI)和時間相關電介質擊穿(TDDB) 測試的標準方法。但是，這一配置的局限在于一次只能測量一到兩個器件，因此不能提供大量必需的數據來跟上目前更短的開發周期。吉時利的S510自動WLR測試器采用新方法進行可靠性測試。專用的源/測量通道允許S510提供具有統計意義的數量的數據，所需時間僅為典型的stress-switch-measure系統的三分之一。與配置了昂貴的源-測量單元(SMU)具有寬測量量程的系統不同，S510的SMU具有合適的源和測量量程，提供高速通道，專注于特定的并行NBTI和TDDB需求。

S510半導體可靠性測試系統相關應用 :

• 并行晶圓級可靠性測試
  - NBTI
  - TDDB
• 其它晶圓級可靠性測試
  - CHC (HCI)
  - 充電至擊穿
  - 電遷移