北京金時速儀器設備經營部
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KDB-3雙組合四探針方阻/電阻率測試儀
是根據標準SEMI MF1529設計，雙組合測試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測量半導體電阻率或薄層電阻的方法。
KDB-3雙組合四探針方阻/電阻率測試儀
KDB-3雙組合測試儀是根據標準SEMI MF1529設計，雙組合測試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測量半導體電阻率或薄層電阻的方法。在本測試方法中，在測試樣品的每個測量位置上，以兩種不同的方式（配置）將探針連接到提供電流和測量電壓的電路中。四探針的這種使用法通常被稱為“雙配置”或“配置切換”測量。單組合四探針相比，用較小間距的探針頭就可以進行高精度的測量，從而可獲得更高的晶片薄層電阻變化的空間分辨率。
儀器特點如下：
1、配有雙數字表：一塊數字表在測量顯示硅片電阻率的同時，另一塊數字表（以萬分之幾的精度）適時監測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更精確。
數字電壓表量程：0—199.99mV 靈敏度：10μV 輸入阻抗：1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數+0.01%滿度)
2、可測電阻率范圍：10—4 —1.9×104Ω·cm。
可測方塊電阻范圍：10—3 —1.9×105Ω/□。
3、設有電壓表自動復零功能，當四探針頭1、4探針間未有測量電流流過時，電壓表指零，只有1、4探針接觸到硅片，測量電流渡過單晶時，電壓表才指示2、3探針間的電壓（即電阻率）值；同樣，當四探針頭1、3探針間未有測量電流流過時，電壓表指零，只有1、3探針接觸到硅片，測量電流渡過單晶時，電壓表才指示2、4探針間的電壓（即電阻率）值，避免空間雜散電波對測量的干擾。
4、流經硅片的測量電流由高度穩定（萬分之五精度）的特制恒流源提供，不受氣候條件的影響，整機測量精度＜3%。
電流量程分五檔：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。
5、儀器采用觸點電阻更低（＜5mΩ）、使用壽命更長的轉換開頭及繼電器（＞10萬次），在絕緣電阻、電流容量方面留有更大的安全系數，提高了測試儀的可靠性和使用壽命。
6、可選配軟件進行數據采集,可進行雙組合或單組合測量，實現自動切換電壓檔位、讀取相應電壓值，根據不同方法計算電阻率或方塊電阻值；軟件可對測量數據進行分析，如平均值，zui大值、zui小值、zui大百分變化率、平均百分變化率、徑向不均勻度等內容。
7、可配KDDJ-3電動測試架，自動上下運行，使測量更方便快捷。
8、四探針頭采用上*的紅寶石軸套導向結構，使探針的游移率減小，測量重復性提高（*已于2005.02.02授予權，03274755.1）。
測量軟件界面如下圖所示：
KDB-3雙組合四探針方阻/電阻率測試儀
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