北京金時速儀器設備經營部
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LT-1B高頻光電導少數載流子壽命測試儀
是參照半導體設備和材料組織SEMI標準MF1535-0707及國家標準GB/T 26068-2010設計制造。
LT-1B高頻光電導少數載流子壽命測試儀
儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數載流子壽命測定高頻光電導衰減法，主要用于測量高阻長壽命單晶，現在已經在天津環歐半導體材料有限公司、*公司第四十六研究所、峨嵋半導體材料廠、國泰半導體材料有限公司等投入使用。
技術參數：
（1）測試單晶電阻率范圍：ρ﹥3Ω•cm
（2）可測單晶少子壽命范圍：5μs~10000μs
（3）紅外光源配置： 波長1.06～1.09μm
（4）高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ
（5）前置放大器，放大倍數約25，頻寬2HZ-2MHZ
（6）可根據已知壽命樣品調校測量壽命值，可調范圍廣
（7）儀器測量重復誤差：﹤±25%
（8）測量方式：采用數字示波器直接讀數方式
（9）儀器消耗功率：﹤50 W
（10）儀器工作條件：溫度：10-35℃，濕度﹤65%
使用電源：AC 220V，50HZ（建議配置穩壓電源）
（11）可測單晶尺寸：
斷面豎測：直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm
縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-800mm
LT-1B高頻光電導少數載流子壽命測試儀
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