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    SDY-4型四探針測(cè)試儀

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    產(chǎn)品型號(hào)

    品       牌

    廠商性質(zhì)代理商

    所  在  地北京市

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    更新時(shí)間:2016-03-28 14:44:23瀏覽次數(shù):478次

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    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    SDY-4型四探針測(cè)試儀
    是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測(cè)試儀器.

    詳細(xì)介紹

     

    SDY-4型四探針測(cè)試儀

       是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測(cè)試儀器.
      儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,采用平面輕觸式開關(guān)控制,及各種工作狀態(tài)LED指示.應(yīng)用微計(jì)算機(jī)技術(shù),利用HQ-710E型測(cè)量數(shù)據(jù)處理器,使得測(cè)量讀數(shù)更加直觀、快速,并能實(shí)現(xiàn)晶片厚度自行修正,打印出全部預(yù)置和測(cè)量、計(jì)算數(shù)據(jù)。整套儀器體積小、功耗低、測(cè)量精度高、測(cè)試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。
        本儀器可滿足半導(dǎo)體材料、器件的研究生產(chǎn)單位對(duì)材料(棒材、片材)電阻率及擴(kuò)散層、離子注入層、異型外延層和導(dǎo)電薄膜方塊電阻測(cè)量的需要。

    技術(shù)指標(biāo)
    1 測(cè)量范圍: 電阻率:0.001-200Ω.cm(可擴(kuò)展);
          方塊電阻:0.01-2000Ω/口(可擴(kuò)展);
    2 可測(cè)晶片直徑(zui大):100mm(配J-2B型手動(dòng)測(cè)試臺(tái))
                200mm(配J-51型手動(dòng)測(cè)試臺(tái))
    3 恒流源:電流量程分為0.1、1、10、100(mA)四檔,各檔電流連續(xù)可調(diào).誤差<±0.3%
    4 數(shù)字電壓表:
    量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV
    顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、小數(shù)點(diǎn)、超量程自動(dòng)顯示。
    輸入阻抗>1000MΩ; 精度:±0.1%.
    5 zui大電阻測(cè)量誤差(按JJG508-87進(jìn)行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.
    6 四探針探頭:
    間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻≥1000MΩ;機(jī)械游移率:≤0.3%
    探針壓力:TZT-9A/9B: 12-16牛頓(總力) TZT-9C/9D 5-8 牛頓(總力)
    7 整機(jī)不確定度:(用硅標(biāo)樣片測(cè)試)≤5% (0.01-180Ω.cm)
    8 外形尺寸:電氣主機(jī):360mm×320mm×100mm;數(shù)據(jù)處理器:300mm×210mm×105mm
    9 數(shù)據(jù)處理器功能:
    A 鍵盤控制測(cè)量取數(shù),自動(dòng)進(jìn)行電流換向,并進(jìn)行正反向電流下的電阻率(或方塊電阻)測(cè)量,顯示出平均值.測(cè)薄片時(shí),可自動(dòng)進(jìn)行厚度修正;
    B 鍵盤控制數(shù)據(jù)處理,運(yùn)算電阻率平均值和電阻率值z(mì)ui大百分變化及平均百分變化;
    C 鍵盤控制打印全部測(cè)量數(shù)據(jù).測(cè)量條件、zui大電阻率值、zui小電阻率值、電阻率zui大百分變化及平均百分變化。
    10 儀器重量:電氣主機(jī):約4kg;測(cè)試臺(tái):約10kg,數(shù)據(jù)處理器:約2.5kg
    11 測(cè)試環(huán)境:溫度23±2℃;相對(duì)濕度≤65%;無(wú)高頻干擾;無(wú)強(qiáng)光照射。 

     

    SDY-4型四探針測(cè)試儀

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