霍爾離子源CDNY-07LZ
產(chǎn)品概述
用于真空鍍膜過程中基底離子轟擊清潔及沉積過程中離子轟擊能量輸送。
廣泛應(yīng)用于：增透膜、眼鏡鍍膜、光纖光學(xué)、高反鏡、熱/冷反光鏡、低漂移濾波器、帶通濾波器、在線清洗、類金剛石沉積等。
能夠改善薄膜的生長、優(yōu)化薄膜結(jié)構(gòu)，增加鍍膜的一致性和重復(fù)性，低溫高速率鍍膜，清除工件表面水和碳?xì)浠衔铮黾颖∧っ芏龋档蛢?nèi)應(yīng)力低，清除結(jié)合力弱的分子，反應(yīng)氣體活度增加，薄膜成分易于控制。
主要特點(diǎn)
結(jié)構(gòu)*
充分借鑒*的霍爾離子源的優(yōu)點(diǎn)，具有*的水冷和密封結(jié)構(gòu)，經(jīng)多次長時(shí)間的實(shí)驗(yàn)證明，離子源能夠在很大的等離子體束流下長期穩(wěn)定工作。
可在高溫環(huán)境下長期可靠工作
在通常鍍膜工藝中，工件需加熱至很高溫度，整個(gè)真空室內(nèi)溫度很高，而本離子源良好的冷卻系統(tǒng)能保證離子源在 300℃的高溫環(huán)境下長期正常工作。
等離子體束流大
為避免基片損傷，需要采用低能量大束流的等離子體進(jìn)行輔助鍍膜。以往國內(nèi)采用的多因束流小(<1.)而很難達(dá)到理想的效果。本公司在大功率霍耳等離子體源的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)上取得突破性的進(jìn)展，制造出大束流下(>4A)長期穩(wěn)定工作的等離子體源。
空間均勻性強(qiáng)
由于*的磁路和放電區(qū)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，在以離子源軸線為中心 20度的圓錐內(nèi)等離子態(tài)的強(qiáng)度均勻性可保持在 ± 20%以內(nèi)。
*適用于反應(yīng)氣體
在離子束輔助反應(yīng)沉積鍍膜過程中，通常需要用氧氣或氮?dú)獾扰c蒸發(fā)的膜料進(jìn)行反應(yīng)沉積所需薄膜，在此過程中增加反應(yīng)氣體的活性和能量，對形成高質(zhì)量薄膜至關(guān)重要。 本等離子體源可以在*通入反應(yīng)氣體將其離化的條件下不出現(xiàn)中毒現(xiàn)象而正常工作。
安裝簡便、維護(hù)簡單運(yùn)行成本低
本離子源的安裝非常簡單，耗材只是燈絲，日常維護(hù)工作主要是更換燈絲。
操作簡單
離子源的操作簡單，通過調(diào)節(jié)離子源的放電電流以及燈絲電流即可使離子源穩(wěn)定工作。控制面板上能直接觀察到燈絲和陽極的電壓、電流。
主要性能指標(biāo)
陽極電壓 | DC 50-300V | 陽極zui大允許電流 | 10A |
陽極電流范圍 | 3-10A | zui大離子束流 | 3.3A |
燈絲電流 | 18-40A | 氣體流量 | 20-100Sccm(氧) |
外形尺寸(mm) | Φ153×254(H) | 電源尺寸(mm) | 480(W)×240(H)×600(D) |
面板尺寸(mm) | 480(W)×133(H) | 安裝開孔 | 3個(gè)直徑略大于33mm的通孔 |
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