F-DMDM-PM-110E 葫蘆島市熱賣 返回列表頁

F-DMDM-PM-110E控制器總線的抗干擾設計 

由于系統使用的單片機僅僅依靠自身功能不能滿足系統的要求，需要應用外部接口芯片對其功能進行擴展。而總線是單片機和外部各種接口芯片進行數據交換的通道，總線的可靠性直接關系到系統的可靠性，F-DMDM-PM-110E系統主要采取以下措施來提高總線的抗*力。 采用三態門式總線驅動器提供總線的抗*力。

F-DMDM-PM-110E總線驅動器使用TTL型三態緩沖門電路74LS245，74LS245可用于雙向驅動。三態門緩沖器能減少分布電容與電感對總線工作的影響，在總線上可連接400個芯片，其總線抗*力比OC（集電極開路）門大約大10倍，可驅動100m的線。 總線接收端加施密特電路做緩沖器抗干擾。在接收端印刷板插座附件加施密特電路來做緩沖器，可以濾除外部噪聲，提高總線的抗干擾性能。 8031的總線由三態輸出器件構成的，在三態驅動器（D）都是高阻抗時是不穩定的。可使用上拉電阻，將總線通過5kΩ電阻R接到電源，使其在瞬間處于穩定的高電位，從而增強抗*力。

改善總線的負載平衡，提高系統可靠性。 給動態RAM加旁路電容，每片動態RAM的供電端上對地并接一個0.1μF的電容以抑制干擾，同時盡量縮短電源線和地線的印刷電路板布線。 在靜態RAM電路中，使電流流動印刷線跳板的各處都比較均勻，不讓電流變動大的區域在印刷電路板各處頻繁移動。使存儲器存取瞬間所產生的噪聲電壓峰值變小。 

F-DMDM-PM-110E接口電路的抗干擾設計 1 前向通道的抗干擾設計 前向通道是單片機應用系統的信號采集通道，從信號的傳感、變換、到單片機的輸入。在前向通道設計中主要考慮集成運算放大器的抗干擾設計、運放電路抗干擾裝配、多路開關的抗干擾設計以及A/D轉換電路的抗干擾設計。 集成運放的抗干擾設計包括集成運放電路內部、外部噪聲的控制和集成運放電路共模噪聲控制。

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