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    140DDO35300 大同市施耐德 140DDO35300

    參  考  價面議
    具體成交價以合同協議為準

    產品型號

    品       牌

    廠商性質經銷商

    所  在  地上海

    聯系方式:劉錦玲查看聯系方式

    更新時間:2018-05-14 09:00:00瀏覽次數:243次

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    140DDO35300

    對于140DDO35300來說,為zui大限度壓縮成本,與次優IP(常稱為“免費IP”)相比,設計師更愿選擇“節省空間”的IP參數。盡管有許多存儲器IP參數可供設計師免費選用,但在產品的整體收益性上,卻并不總是存在經濟性的解決方案。在很多情況下,與“免費”存儲器IP相比,通過改善獲批的嵌入式存儲器IP的密度與性能來壓縮制造成本,其效果更為顯著。

    140DDO35300在產品的整個壽命過程中,存儲器體積的優化對量產成本的影響如表1所示。本表中,存儲器IP所占用的芯片空間以百分比表示??赏ㄟ^芯片成本、量產效率以及產品壽命,計算高密度存儲器的成本壓縮效果。節省的IP空間根據圖4得出。從圖中可以看出,1T和6T存儲器的密度增量比值約為2:1.

    表1:高密度IP與成本節約

    140DDO35300嵌入式存儲器IP選用指南

    為讓您對存儲器設計中的可選要素有一個了解,現將帶有部分功能的收費嵌入式存儲器類型總結如下。

    140DDO35300單端口(6T)和雙端口(8T)SRAMIP

    由于這類存儲器架構大多適用于主流CMOS制造流程,無需額外的流程環節,因此基于傳統6T存儲單元的靜態RAM存儲器塊已成為ASIC/SoC制造中的主流。6T存儲單元采用了經過實踐檢驗的由晶圓代工廠生產的可用于高速度、低功耗設計的6T/8T位單元,是大規模程序或數據存儲器塊的理想器件。6T存儲單元可用于存儲能力從幾位到幾兆位的存儲陣列。

    根據設計師是采用針對高性能還是針對低功耗優化的CMOS流程,采用此種結構的存儲陣列,經過設計,可滿足多種不同的性能需求。經高性能CMOS流程制造的SRAM塊,在功耗得到降低的同時,在40nm和28nm等高級流程節點的存取時間可降低到1ns以下。隨著流程節點的推進,外形尺寸的縮小,采用傳統6T存儲單元構建的靜態RAM,其單元尺寸將更小,存取用時也更短。

    140DDO35300存儲單元的靜態特性使其可保留zui小數目的支持電路,只需要對地址進行解碼,并向解碼器、傳感和計時電路的設計提供信號即可。

    140DDO35300單端口(6T)和雙端口(8T)寄存器文件IP

    對于快速處理器緩存和較小的存儲器緩沖(zui高約每個宏塊72Kbit)來說,這類寄存器文件存儲器IP是個不錯的選擇。寄存器同時具備占用空間zui小、性能zui快等特點。

    140DDO35300單層可編程ROMIP

    這種結構功耗和速度均相對較低,特別適用于空間有限的微碼的存儲,固定數據的存儲,或體積穩步遞增的應用程序的存儲。這類IP可支持多芯片組和不同長寬比,既縮小了芯片體積,又獲得了*速度。為加快設計周期,部分IP還提供了用以驅動存儲器編譯器的編程腳本語言。

    MAC112D-1-FD-3H?C/130-A-0/S005 INDRAMAT

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