從轉(zhuǎn)速用零功耗傳感器看磁敏傳感器的發(fā)展

　　按其結(jié)構(gòu)可分為體型和結(jié)構(gòu)兩大類。體型的有霍爾傳感器，也叫零功耗磁敏傳感器，其主要材料InSb(銻化銦)、InAs(砷化銦)、Ge(鍺)、Si、GaAs等和磁敏電阻InSb、InAs。

　　轉(zhuǎn)速用零功耗傳感器的應(yīng)用

　　轉(zhuǎn)速用零功耗傳感器能將角位移轉(zhuǎn)換在成電脈沖信號(hào)，供二次儀表使用，主要為鐵路高速列車防滑系統(tǒng)配套。

　　具有測(cè)量范圍寬，安裝簡(jiǎn)便，輸出幅值大,工作溫度范圍寬,抗振性好等優(yōu)點(diǎn)，供抵速測(cè)量用戶，特別是使用溫度可以從-10～+65℃，適用范圍較廣,配用其它二次儀表也十分方便。

　　從轉(zhuǎn)速用零功耗傳感器看磁敏傳感器的發(fā)展特點(diǎn)

　　1.集成電路技術(shù)的應(yīng)用。將硅集成電路技術(shù)應(yīng)用于磁敏傳感器，制成集成磁敏傳感器。

　　2.InSb 薄膜技術(shù)的開發(fā)成功，使得霍爾器件產(chǎn)能劇增，成本大幅度下降。

　　3.強(qiáng)磁體合金薄膜得到廣泛應(yīng)用。各種磁阻器件出現(xiàn)，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。

　　4.非晶合金材料的應(yīng)用。與基礎(chǔ)器件配套應(yīng)用，大大改善了磁傳感器性能。

　　5.巨磁電阻多層薄膜的研究與開發(fā)。新器件的高靈敏度，高穩(wěn)定性，引起研制高密度記錄磁盤讀出頭的科技人員的極大關(guān)注。

　　6.Ⅲ—V 族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的開發(fā)和應(yīng)用。通過外延技術(shù)，形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)，提高磁敏器件的性能。