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    美開發含化合物半導體核的光纖

    時間:2011-3-9閱讀:981
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    美國賓州州立大學(PennsylvaniaStateUniversity)日前宣布開發出內含化合物半導體(compoundsemiconductor)核心的光纖,號稱是*。
      這個由賓州州立大學教授JohnBadding所率領的研究團隊,是開發出內含硒化鋅(zinc-selenide)核心的光纖電纜,據說能支持更廣泛的波長,其光子質量也優于目前所使用的非晶核心(amorphouscore)光纖。
      “這種光纖的主要優勢在于能支持廣泛波長,特別是可到長波紅外線(specifically);而另一個同樣重要的優勢在于,人們可以利用其結晶化合物半導體的材料特性。”Badding表示,內含化合物半導體核心的光纖,可實現與目前許多光學芯片相同的放大與波導(waveguide)功能,這是傳統的非晶核心光纖無法達到的。
      “結晶化合物半導體能包含過渡金屬增益介質(transition-metalgainmedia),這是非晶半導體所不能的。”Badding表示,“該種光纖核心也能制作得比競爭的平面化合物半導體波導更平滑、更勻稱,并可提供更*的光波導特性。”
      這種新型光纖zui長可支持15微米(micron)的波長,應用范圍涵蓋更多功能、反抗能力更好的的軍事雷達/激光,以及效果更好的醫療或手術用激光,或是能更靈敏地偵測污染物、化學武器等等的環境傳感器。

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