zui近，美國哈佛大學和英國利茲大學的一個聯合研究小組演示了一種新型太赫茲半導體激光器，其發射的太赫茲光波準直性能與傳統太赫茲光源相比有顯著改善。該激光器的研發成功，為太赫茲科技的應用開拓了更廣闊的領域。
　　新型太赫茲激光器突破了傳統材料的限制。研究人員刻了一組亞波長光柵，直接加倍了超材料晶面的光流量，設備以3太赫茲（百億赫茲）的頻率發射光線（波長為100微米，在可見光譜中屬于遠紅外線），大大降低了這些半導體激光器的散射角度，同時保持了光能的高輸出功率。
　　這種超材料被直接嵌入光學設備的高吸收性砷化鎵晶面上，在演示中能看到，人造光顯示出深淺不同的微米光柵，各具不同的功能。淺藍色的狹縫能將輸出的激光功率加倍，導向并限定在晶體表面。
　　太赫茲射線能穿透紙張、衣物、塑料和其它一些材料，在探測隱匿武器和生物制劑方面非常理想，在做腫瘤成像檢測時對人體無傷害和副作用，還能探測材料內部諸如斷裂之類的缺陷。
　　研究的另一項重要意義就是這種超材料的光導作用。該設備產生的*太赫茲光線，以直線光束導向激光晶面，這種*的限定導向作用，還可應用于傳感器和太赫茲光路。

新型太赫茲半導體激光器美國誕生

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