邁浦特機械（四川）有限公司
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半導體刻蝕冷卻工業冷水機是為半導體刻蝕工藝（等離子刻蝕、濕法刻蝕、深硅刻蝕）研發的高精度制冷設備，核心作用是為刻蝕機射頻電源、電極、反應腔、噴淋系統等關鍵部件提供 5℃-35℃的循環冷卻，控制冷卻水溫穩定性（波動≤±0.1℃）、流量精度（偏差≤±0.5%）及熱交換效率（熱阻≤0.04℃/W），確保刻蝕過程中的晶圓尺寸精度（線寬偏差≤±1nm）、刻蝕均勻性 。馬(技術員企微）：①⑨①⑧②②o④④⑦⑥
超精密溫控系統：實現 5℃-35℃寬域控溫（靜態精度 ±0.5℃）。針對刻蝕機多部件協同冷卻需求（射頻電源與反應腔獨立回路），支持 2-4 路隔離式潔凈冷卻回路，通過 PID 神經網絡算法與納米級流量調節技術，確保電極與噴淋頭溫差≤±0.2℃，刻蝕區域溫度梯度≤0.1℃/cm。相比傳統設備，等離子刻蝕的線寬偏差從 ±3nm 縮至 ±0.8nm，深硅刻蝕的高深寬比偏差從 ±5% 降至 ±1%，有效減少因溫度波動導致的刻蝕缺陷（如線邊緣粗糙度≥1nm 的發生率≤0.1%）。
刻蝕工藝聯動技術：搭載工業級 PLC 與PT100溫度傳感器，實時采集刻蝕溫度（60-100℃）、射頻功率（500-3000W）、真空度（10?3-10??Pa）、刻蝕氣體流量（10-500sccm）等 16 項參數，通過等離子體 - 熱耦合模型動態調節制冷量。支持與刻蝕機控制系統對接（兼容應用材料、東京電子協議），根據刻蝕階段（等離子體激發→刻蝕→清除）自動切換冷卻模式：刻蝕階段維持水溫 15℃±0.05℃確保刻蝕速率穩定，清除階段提升 10% 流量快速帶走殘留熱量。針對氟基 / 氯基刻蝕氣體的腐蝕特性，設備實時監測冷卻水路 pH 值（4-10），異常時 3 秒內啟動備用回路。
抗腐蝕潔凈設計：與冷卻介質接觸部件采用哈氏合金 C276（耐氟化物腐蝕測試≥10000 小時），密封件選用全氟醚橡膠（FFKM，可萃取物≤0.005mg/g），耐受刻蝕過程中逸出的 HF、Cl?等腐蝕性氣體及清洗用 SC1/SC2 溶液侵蝕。水路系統配備五級過濾（1μm 精濾 + 0.1μm 超濾 + 0.01μm 納濾 + UV 殺菌 + 離子交換），水質達到 SEMI C12 標準（電阻率≥18.2MΩ?cm，顆粒數≤1 個 /mL≥0.05μm）。設備內部氣流經 ULPA 過濾器（過濾效率≥99.999%@0.12μm）循環，運行時周圍環境粒子濃度≤10 粒 /m3（≥0.1μm），滿足半導體潔凈室 Class 1 級要求，避免微粒污染導致的晶圓缺陷（缺陷密度≤0.1 個 /cm2）。
邏輯芯片等離子刻蝕車間：用于 14nm 邏輯芯片柵極刻蝕，控制反應腔溫度 18℃±0.05℃，使線寬偏差≤±1nm，刻蝕均勻性（CD uniformity）≤0.8%，滿足邏輯芯片的制程要求（符合 SEMI P37 標準）。
存儲芯片深硅刻蝕車間：在 3D NAND 閃存深溝刻蝕（深度≥10μm）中，提供 12℃±0.05℃冷卻水，確保刻蝕高深寬比偏差≤±1%，側壁粗糙度≤0.5nm，適應存儲芯片高密度集成需求。
化合物半導體刻蝕車間：針對 GaN HEMT 器件刻蝕，通過雙回路冷卻（射頻電源 15℃±0.05℃、電極 20℃±0.05℃），使器件閾值電壓偏差≤±0.1V，擊穿電壓提升 5%（達到 1200V），滿足高頻功率器件性能要求。
MEMS 器件濕法刻蝕車間：用于硅基 MEMS 加速度傳感器濕法刻蝕，控制蝕刻槽溫度 25℃±0.1℃，使刻蝕速率偏差≤±0.5nm/min，結構釋放后的殘余應力≤5MPa，確保傳感器靈敏度（偏差≤±1% FS）。
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