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RPS晶圓干法去膠機(jī)

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更新時(shí)間：2025-03-31 08:50:30瀏覽次數(shù)：75次

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RPS晶圓干法去膠機(jī)

小型真空等離子清洗機(jī)

微波片式真空等離子清洗機(jī)

真空等離子清洗機(jī)

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深圳市長(zhǎng)豐檢測(cè)設(shè)備有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

一、常規(guī)參數(shù)1.安裝尺寸：1300*2300*2000mm（寬*長(zhǎng)*高）2.設(shè)備參數(shù)配置：三相電壓380V，50/60Hz，總電流不超過(guò)50A;3.設(shè)備部署環(huán)境：萬(wàn)級(jí)淨(jìng)化間,溫度21~23℃，相對(duì)濕度45±5%

詳細(xì)介紹

一、常規(guī)參數(shù)

1.安裝尺寸：1300*2300*2000mm（寬*長(zhǎng)*高）

2.設(shè)備參數(shù)配置：三相電壓380V，50/60Hz，總電流不超過(guò)50A;

3.設(shè)備部署環(huán)境：萬(wàn)級(jí)淨(jìng)化間, 溫度21~23℃，相對(duì)濕度45±5%；

4. MTTR/平均故障修復(fù)時(shí)間＜4小時(shí)，MTBF/平均時(shí)間＞250小時(shí),

Uptime/正常運(yùn)行時(shí)間≥92% .

5. Wafer Breakage/碎片率≤1/10000PCs

6.Descum WPH/descum 產(chǎn)能≥90wafers（基於20秒descum工藝時(shí)間程式）

7.base pressure/腔體底壓≤20mTorr；leakage check腔體漏率≤10mtorr/min

8.Partical/顆粒度 :＜30ea@0.2um 腔體單次傳片大於0.2um的顆粒增加量小於20顆

9.支持SECS/GEM通訊協(xié)議

二、技術(shù)規(guī)格

2.1設(shè)備規(guī)格

主機(jī)部分
No.	Item/專案	Specification/規(guī)格說(shuō)明
1	Plasma Source	RPS Plasma Source/微波等離子源,1000W, 2.45GHz RF bias（底部射頻偏壓） 600W，13.56MHz
2	Process Chamber	工作臺(tái)chuck溫度範(fàn)圍: 20~50℃; 可選chuck控溫：50~250℃ 水冷機(jī)控溫適合wafer尺寸: 200mm wafer 腔體數(shù)量: 2個(gè) Al 6061 腔體腔體自動(dòng)門：中國(guó)臺(tái)灣AdvanTorr
3	Gas Supply System	單個(gè)腔體工藝氣路：3路 MFC品牌：MKS 腔體氣路: O2/N2/Ar，CF4為選配氣體
4	Vacuum System	幹泵: 愛(ài)德華壓力控制: Throttle valve 蝶閥中國(guó)臺(tái)灣HTC 真空計(jì):Inficon Vacuum Gauge
5	Auto Wafer Transfer System	上料臺(tái)：2 cassette 上料臺(tái)，適合 8 inch wafers； Cassette wafer mapping：晶圓擺放檢測(cè) VAC Robot；日本JEL
6	Control System	PC：工業(yè)電腦 Windows系統(tǒng)控制；操作軟體: 介面友好，圖形化視圖，自動(dòng)保存log檔
7	Safety System	EMO: 三個(gè)急停按鈕 Interlock硬體安全互鎖: 硬體互鎖包括 Power/Temp/Vacuum