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<ul id="qqie6"></ul> 在半導體制造領域，晶圓需經受嚴苛的溫變沖擊與老化測試以確保性能穩定，但傳統串行測試方式耗時久、效率低。借助冷熱沖擊試驗箱進行并行測試，可顯著提升測試效率，其核心在于設備功能升級與測試流程優化。
測試流程優化上，采用 “溫變 - 老化 - 再溫變" 的循環模式。晶圓先在高溫區（如 125℃）進行 4 小時老化測試，同步監測其電性能參數；隨后快速切換至低溫區（-40℃）進行 30 分鐘溫變沖擊；再返回高溫區繼續老化。通過這種循環，在 72 小時內即可完成傳統流程下需 74 小時以上的測試任務，效率提升約 15%。
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